| 主权项 |
1.一种可变间隙止档装置,用以止档包括至少一定位表面之驱动单元的移动,包括:一可移动的间隙止档单元,其系包括至少一止档表面;一汽缸,系装配用以移动该可移动的间隙止档单元,以定位该至少一止档表面与驱动单元之至少一定位表面对齐与否。2.如申请专利范围第1项之可变间隙止档装置,其中该可移动的间隙止档单元之该至少一止档表面,于每一不同的高度包括至少第一及第二止档表面。3.如申请专利范围第2项之可变间隙止档装置,其中该可移动的间隙止档单元包括一环状构件支撑该至少第一及第二止档表面,以及该汽缸于一圆周方向上移动该环状构件。4.如申请专利范围第2项之可变间隙止档装置,其中该汽缸包括一串列缸,具有一杆件连接至该可移动单元,而该杆件系可采取三不同的位置。5.如申请专利范围第4项之可变间隙止档装置,其进一步在该汽缸上包括至少一感应器,系装配用以侦测该杆件的位置。6.一种半导体处理装置,包括:一支撑构件,一待处理之半导体晶圆系安置于该构件上;一驱动单元,系装配用以配置该支撑构件于一处理室内的一高度位置,该驱动单元包括至少一定位表面;一可移动的间隙止档单元,包括至少一止档表面;及一汽缸,系装配用以移动该可移动的间隙止档单元以定位该至少一止档表面系与该驱动单元之该定位表面对齐与否。7.如申请专利范围第6项之半导体处理装置,其中该可移动的间隙止档单元之该至少一止档表面,于每一不同的高度包括至少第一及第二止档表面。8.如申请专利范围第7项之半导体处理装置,其中该可移动的间隙止档单元包括一环状构件支撑该至少第一及第二止档表面,以及该汽缸于一圆周方向上移动该环状构件。9.如申请专利范围第7项之半导体处理装置,其中该汽缸包括一串列缸,具有一杆件连接至该可移动单元,而该杆件系可采取三不同的位置。10.如申请专利范围第9项之半导体处理装置,其进一步在该汽缸上包括至少一感应器,系装配用以侦测该杆件的位置。11.一种半导体处理装置,包括:支撑装置,用以支撑一待处理之半导体晶圆;驱动装置,用以于一处理室内驱动该支撑装置,该驱动装置包括至少一定位表面装置;可变间隙止档装置,包括至少一止档表面装置;及定位装置,系用以将该可变间隙止档装置定位,以定位该至少一止档表面装置与该驱动装置之该定位表面对齐与否。12.如申请专利范围第11项之半导体处理装置,其中该可变间隙止档装置之该至少一止档表面装置,于每一不同的高度包括至少第一及第二止档表面装置。13.如申请专利范围第11项之半导体处理装置,其进一步在该定位装置上包括至少一感应器装置,系用以侦测一位置,该位置系为该定位装置将该可变间隙止档装置定位的位置。14.一种用以止档驱动单元之移动之方法,该驱动单元包括至少一定位表面,包括以下的步骤:配置一可移动的间隙止档单元,其系包括至少一止档表面;移动该可移动的间隙止档单元以定位该至少一止档表面与该驱动单元之该至少一定位表面对齐与否。15.如申请专利范围第14项之方法,其中该可移动的间隙止档单元的至少一止档表面于每一不同的高度包括至少第一及第二止档表面。16.如申请专利范围第15项之方法,其中该可移动的间隙止档单元包括一环状构件支撑该至少第一及第二止档表面,以及移动步骤于一圆周方向上移动该环状构件。17.如申请专利范围第14项之方法,其中该驱动单元包括一支撑构件,用以安置一待处理之半导体晶圆,该支撑构件于一处理室内系配置在一高度位置。18.如申请专利范围第17项之方法,其中该可移动的间隙止档单元之至少一止档表面于每一不同的高度包括至少第一及第二止档表面。19.如申请专利范围第17项之方法,其中该可移动的间隙止档单元包括一环状构件支撑该至少第一及第二止档表面,以及移动步骤于一圆周方向上移动该环状构件。图式简单说明:图1系显示用于半导体支撑装置的一种背景之链驱动系统;图2系显示用于半导体支撑装置的一种进一步的背景之驱动系统;图3系为本发明的一种用于半导体支撑装置的驱动系统之构造形式;图4系为一方块图形式,显示用于本发明之半导体支撑装置的驱动系统之特定的元件;图5系显示本发明之可变化间隙止档系统的一特定的元件;图6系显示位在第一位置之本发明的可变化间隙止档系统;图7系显示位在第二位置之本发明的可变化间隙止档系统;图8系显示位在第三位置之本发明的可变化间隙止档系统。 |
