| 主权项 |
1.一种CMP研磨剂,其为由含有氧化铯粒子,分散剂及 水之氧化铯流浆,及含有分散剂和水之添加液所组 成。2.如申请专利范围第1项所述之CMP研磨剂,其中 氧化铯流浆及添加液所分别含有的分散液为高分 子分散剂,为以丙烯酸铵盐作为共聚成分之聚合物 。3.如申请专利范围第1项所述之CMP研磨剂,其中氧 化铯流浆及添加液所分别含有的分散液为高分子 分散剂,为聚丙烯酸铵盐或聚丙烯酸胺盐。4.如申 请专利范围第2或3项所述之CMP研磨剂,其中高分子 分散剂之重量平均分子量为100-50,000。5.如申请专 利范围第1项所述之CMP研磨剂,其中氧化铯流浆中 之分散剂含量,相对于氧化铯粒子100重量份为0.01-2 .0重量份,氧化铯粒子含量相对于氧化铯流浆为0.3- 40重量%。6.如申请专利范围第1-3项或第5项中任一 项之CMP研磨剂,其中氧化铯流浆之pH为6-10。7.如申 请专利范围第4项之CMP研磨剂,其中氧化铯流浆之pH 为6-10。8.如申请专利范围第1-3项或第5项中任一项 之CMP研磨剂,其中氧化矽膜研磨速度与氮化矽膜研 磨速度之比为50以上。9.如申请专利范围第7项之 CMP研磨剂,其中氧化矽膜研磨速度与氮化矽膜研磨 速度之比为50以上。10.如申请专利范围第4项之CMP 研磨剂,其中氧化矽膜研磨速度与氮化矽膜研磨速 度之比为50以上。11.如申请专利范围第6项之CMP研 磨剂,其中氧化矽膜研磨速度与氮化矽膜研磨速度 之比为50以上。12.一种CMP研磨剂用添加液,其特征 为含有1至10重量%之聚丙烯酸铵盐或聚丙烯酸胺盐 的分散剂,与水所成,该添加液之pH値为4至8者。13. 如申请专利范围第12项所述之CMP研磨剂用添加液, 其中聚丙烯酸铵盐或聚丙烯酸胺盐为重量平均分 子量为1,000-100,000。14.如申请专利范围第13项所述 之CMP研磨剂用添加液,其中聚丙烯酸铵盐或聚丙烯 酸胺盐之分子量分布(重量平均分子量/数平均分 子量)为1.005-1.300。15.如申请专利范围第12项所述 之CMP研磨剂用添加液,其中不构成聚丙烯酸铵盐或 聚丙烯酸胺盐之盐之游离氨或胺之比例为10莫耳% 以下。16.如申请专利范围第12项所述之CMP研磨剂 用添加液,其中添加液之黏度为1.20-2.50mPa.s。17.一 种基板之研磨方法,其特征为将形成被研磨膜之基 板,压到研磨定盘之研磨布上并且加压,一边于被 研磨膜与研磨布之间供给如申请专利范围第1-11项 任一项所述之CMP研磨剂,一边摇动基板与研磨定盘 ,将被研磨膜予以研磨。18.如申请专利范围第17项 所述之基板之研磨方法,其为将至少形成氧化矽膜 或氮化矽膜之基板予以研磨。 |
