| 摘要 |
<p>본 발명은 매몰 채널 PMOS 트랜지스터 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 그 방법은 소자의 활성 영역과 분리영역을 정의하는 필드산화막이 형성된 반도체 기판의 활성 영역내에 n형 웰을 형성하고, n형 웰 내에 n형 불순물로서 As을 이온 주입한 후에 연속해서 P를 이온주입하여 펀치 스톱 영역을 형성하고, 기판 내에 p형 불순물을 이온 주입하여 문턱전압 조절영역을 형성한 후에 기판의 활성 영역 상부에 게이트절연막을 형성하고 그 위에 게이트전극을 형성하고, 게이트전극을 마스크로 하여 게이트전극 에지와 필드산화막 사이에 드러난 기판 내에 n형 불순물이 주입된 소오스/드레인 영역을 형성한다. 이에 따라, 본 발명은 펀치 스톱 영역을 위한 n형 불순물 이온 주입시 As로 이온 주입한 후에 P를 연속적으로 이온 주입하여 채널 영역내에 전자 이동을 증가시켜 전류 구동능력을 높일 수 있다.</p> |
