| 主权项 |
1.一种半导体装置所用的熔丝配置,其包括:-一半导体主体(1),-一至少部份是在半导体主体(1)的表面上所设之绝缘层(2),以及-一轨形金属层(3),其特征为:-此轨形金属层(3)是配置于绝缘层(2)上,并且在至少一个位置上具有形成熔丝的狭窄件(4),-在半导体主体(1)中在狭窄件(4)下,藉由多孔之半导体材料形成半导体区域(6),并且因此呈现热绝缘。2.如申请专利范围第1项之熔丝配置,其中此多孔的半导体材料是藉由植入以及随后的蚀刻而形成。3.如申请专利范围第2项之熔丝配置,其中对于植入是使用硼或是另外一种P-形式-掺杂物质。4.如申请专利范围第2或3项之熔丝配置,其中对于蚀刻使用HF混合物。图式简单说明:第1图是根据本发明熔丝配置之概要图式俯视图。第2图是第1图之熔丝配置之概要图式截面说明。 |
