| 主权项 |
1.一种低介电常数材料层的制造方法,包括:提供一基底;于该基底上形成一高分子材料层;熟化该高分子材料层;于该高分子材料层上形成一接合材料层,该接合材料层之主成分为一有机矽化合物,该有机矽化合物具有相连之一含矽片段与一未饱合碳氢片段;以及熟化该接合材料层,令该有机矽化合物与该高分子材料层反应并产生链结,使得该高分子材料层具有一含矽表面。2.如申请专利范围第1项所述之低介电常数材料层的制造方法,其中熟化前之该接合材料层系由该有机矽化合物与可溶解该高分子材料之一溶剂所组成。3.如申请专利范围第1项所述之低介电常数材料层的制造方法,其中该高分子材料层系与该接合材料层同时熟化。4.如申请专利范围第3项所述之低介电常数材料层的制造方法,其中该高分子材料层系由一未饱合前驱物在熟化过程中聚合而成。5.如申请专利范围第1项所述之低介电常数材料层的制造方法,其中熟化该接合材料层之方法包括加热熟化法。6.如申请专利范围第1项所述之低介电常数材料层的制造方法,其中熟化该接合材料层之方法包括紫外光熟化法。7.如申请专利范围第1项所述之低介电常数材料层的制造方法,其中该含矽片段包括三乙氧基矽烷基(triethoxysilanyl)。8.如申请专利范围第1项所述之低介电常数材料层的制造方法,其中该含矽片段包括三乙醯氧基矽烷基(triacetoxysilanyl)。9.如申请专利范围第1项所述之低介电常数材料层的制造方法,其中该未饱合碳氢片段包括丙烯基(allyl)。10.如申请专利范围第1项所述之低介电常数材料层的制造方法,其中该未饱合碳氢片段包括一C2-C4之-二炔基(-ethynyl)。11.一种低介电常数之层间介电层的制造方法,包括:提供一基底;于该基底上形成一高分子材料层;熟化该高分子材料层;于该高分子材料层上形成一接合材料层,该接合材料层之主成分为一有机矽化合物,该有机矽化合物具有相连之一含矽片段与一未饱合碳氢片段;熟化该接合材料层,令该有机矽化合物与该高分子材料层反应并产生链结,使得该高分子材料层具有一含矽表面;以及于该接合材料层上形成一含矽无机介电层。12.如申请专利范围第11项所述之低介电常数之层间介电层的制造方法,其中熟化前之该接合材料层系由该有机矽化合物与可溶解该高分子材料之一溶剂所组成。13.如申请专利范围第11项所述之低介电常数之层间介电层的制造方法,其中该高分子材料层系与该接合材料层同时熟化。14.如申请专利范围第13项所述之低介电常数之层间介电层的制造方法,其中该高分子材料层系由一未饱合前驱物在熟化过程中聚合而成。15.如申请专利范围第11项所述之低介电常数之层间介电层的制造方法,其中熟化该接合材料层之方法系为加热熟化法与紫外光熟化法二者之一。16.如申请专利范围第11项所述之低介电常数之层间介电层的制造方法,其中该含矽片段包括三乙氧基矽烷基(triethoxysilanyl)。17.如申请专利范围第11项所述之低介电常数之层间介电层的制造方法,其中该含矽片段包括三乙醯氧基矽烷基(triacetoxysilanyl)。18.如申请专利范围第11项所述之低介电常数之层间介电层的制造方法,其中该未饱合碳氢片段包括丙烯基(allyl)。19.如申请专利范围第11项所述之低介电常数之层间介电层的制造方法,其中该未饱合碳氢片段包括一C2-C4之-乙炔基(-ethynyl)。20.如申请专利范围第11项所述之低介电常数之层间介电层的制造方法,其中该含矽无机介电层之材质系为氮化矽与碳化矽二者之一。图式简单说明:第1图为本发明之低介电常数材料层之制造方法的示意图,其系绘示作为接合材料之有机矽化合物在高分子材料层上的状态。 |
