发明名称 用于选择狭窄谱带准分子雷射用之操作范围的方法
摘要 一种选择窄谱带KrF或ArF准分子雷射之工作范围之方法。雷射系于预定脉波能工作直至氟浓度充分减少而使预定脉波能所需充电电压位于或接近预定最大范围。记录平均充电电压,平均线宽及平均能量加总;及估计或测定氟浓度。注入定量氟,其至少足够使产生预定脉波能所需充电电压造成可量测之降低;及记录另一组资料。注入另一种类似量之氟及记录另一组资料。重复此二步骤至电压等于或接近预定最低电压范围。记录得之资料用于选择最佳工作范围。资料可作图而方便进行选择。选择标准可基于雷射使用者的需求决定。通常选择过程涉及智慧型折衷,其中希望充电电压,氟浓度,线宽及能量加总之最小值。对大多数用途而言,最佳工作范围系于可能电压范围总量20%之电压范围而非接近最低工作范围或最高工作范围。
申请公布号 TW485678 申请公布日期 2002.05.01
申请号 TW087113355 申请日期 1998.08.13
申请人 希玛股份有限公司 发明人 帕拉许P.达斯
分类号 H01S3/10;H01L21/00 主分类号 H01S3/10
代理机构 代理人 恽轶群 台北巿南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种对窄谱带准分子雷射选择最佳工作范围以 获得最适当氟浓度、充电电压、线宽及能量加总 之方法,该方法包含下列步骤: A、选择一所欲的脉波能,一所欲操作范围的充电 电压和所欲的能量加总和线宽之数値, B、于该所欲的脉波能下操作该雷射直至该氟浓度 被充分耗用,而使得该充电电压系等于或接近一预 定的最大范围, C、记录该充电电压、该能量加总、该平均线宽之 数値经历至少30个脉波, D、注入一数量之氟,该数量至少足够造成要产生 该所欲的脉波能所需之一可量测的充电电压降低, E、重复步骤C, F、重复步骤D及C直至该充电电压系等于或接近一 预定的最低范围, G、利用该充电电压、该能量加总、该平均线宽之 记录値以选择一最佳工作范围之充电电压,俾产生 尽可能接近所欲范围的充电电压以及能量加总和 线宽之数値。2.如申请专利范围第1项之方法,其进 一步以线宽、能量加总及氟浓度数値来作为充电 电压之一函数来作图。3.如申请专利范围第1项之 方法,其进一步以线宽、能量加总及充电电压数値 来作为评估氟浓度之一函数来作图。4.一种对窄 谱带准分子雷射选择最佳工作范围以获得最适当 氟浓度、充电电压、线宽及能量加总之方法,该方 法包含下列步骤: A、选择一所欲的脉波能,一所欲操作范围的充电 电压和所欲的能量加总和线宽之数値, B、于该所欲的脉波能下操作该雷射直至该氟浓度 被充分耗用,而使得该充电电压系等于或接近一预 定的最大范围, C、记录放电电压、能量稳定性和线宽之代表性数 値并估计该氟浓度, D、注入一数量之氟,该数量至少足够造成要产生 该所欲的脉波能所需之一可量测的充电电压降低, 且记录该注射量, E、重复步骤C, F、重复步骤D及C直至该充电电压系等于或接近一 预定的最低范围, G、利用代表放电电压、能量加总和线宽之记录値 及被注入之氟量的纪录値来选择充电电压之一最 佳工作范围。5.如申请专利范围第4项之方法,其进 一步以线宽、能量稳定性及氟浓度之代表性数値 来作为放电电压的代表性数値之一函数来作图。6 .如申请专利范围第4项之方法,其进一步以线宽、 能量稳定性及放电电压之代表性数値来作为氟浓 度之一函数来作图。图式简单说明: 第1图为用于积体电路微影术之典型KrF窄谱带雷射 之充电电压呈脉波数之函数图。 第2图为线宽、能量加总及氟浓度资料呈充电电压 之函数之典型图。 第3图为线宽、能量加总及充电电压呈氟浓度之函 数之典型图。
地址 美国