主权项 |
1.一种对窄谱带准分子雷射选择最佳工作范围以 获得最适当氟浓度、充电电压、线宽及能量加总 之方法,该方法包含下列步骤: A、选择一所欲的脉波能,一所欲操作范围的充电 电压和所欲的能量加总和线宽之数値, B、于该所欲的脉波能下操作该雷射直至该氟浓度 被充分耗用,而使得该充电电压系等于或接近一预 定的最大范围, C、记录该充电电压、该能量加总、该平均线宽之 数値经历至少30个脉波, D、注入一数量之氟,该数量至少足够造成要产生 该所欲的脉波能所需之一可量测的充电电压降低, E、重复步骤C, F、重复步骤D及C直至该充电电压系等于或接近一 预定的最低范围, G、利用该充电电压、该能量加总、该平均线宽之 记录値以选择一最佳工作范围之充电电压,俾产生 尽可能接近所欲范围的充电电压以及能量加总和 线宽之数値。2.如申请专利范围第1项之方法,其进 一步以线宽、能量加总及氟浓度数値来作为充电 电压之一函数来作图。3.如申请专利范围第1项之 方法,其进一步以线宽、能量加总及充电电压数値 来作为评估氟浓度之一函数来作图。4.一种对窄 谱带准分子雷射选择最佳工作范围以获得最适当 氟浓度、充电电压、线宽及能量加总之方法,该方 法包含下列步骤: A、选择一所欲的脉波能,一所欲操作范围的充电 电压和所欲的能量加总和线宽之数値, B、于该所欲的脉波能下操作该雷射直至该氟浓度 被充分耗用,而使得该充电电压系等于或接近一预 定的最大范围, C、记录放电电压、能量稳定性和线宽之代表性数 値并估计该氟浓度, D、注入一数量之氟,该数量至少足够造成要产生 该所欲的脉波能所需之一可量测的充电电压降低, 且记录该注射量, E、重复步骤C, F、重复步骤D及C直至该充电电压系等于或接近一 预定的最低范围, G、利用代表放电电压、能量加总和线宽之记录値 及被注入之氟量的纪录値来选择充电电压之一最 佳工作范围。5.如申请专利范围第4项之方法,其进 一步以线宽、能量稳定性及氟浓度之代表性数値 来作为放电电压的代表性数値之一函数来作图。6 .如申请专利范围第4项之方法,其进一步以线宽、 能量稳定性及放电电压之代表性数値来作为氟浓 度之一函数来作图。图式简单说明: 第1图为用于积体电路微影术之典型KrF窄谱带雷射 之充电电压呈脉波数之函数图。 第2图为线宽、能量加总及氟浓度资料呈充电电压 之函数之典型图。 第3图为线宽、能量加总及充电电压呈氟浓度之函 数之典型图。 |