| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung eines mikroelektronischen Bauelements |
| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines mikroelektronischen Bauelements und ein derartiges Bauelement, bei welchen auf einen Speicherkondensator, der ein ferroelektrisches oder paraelektrisches Dielektrikum hat, eine Barriere gegen ein Hindurchtreten von Wasserstoff aufgebracht wird bzw. ist. Bei der Bildung der Barriere wird zunächst eine Siliziumoxid-Schicht (41) erzeugt, diese dann getempert und danach eine Barriereschicht (42) aufgebracht.
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| 申请公布号 |
DE10041685(A1) |
申请公布日期 |
2002.03.21 |
| 申请号 |
DE20001041685 |
申请日期 |
2000.08.24 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
HARTNER, WALTER;SCHINDLER, GUENTHER;GABRIC, ZVONIMIR |
| 分类号 |
H01L27/105;H01L21/02;H01L21/768;H01L21/8242;H01L21/8246;H01L27/108;(IPC1-7):H01L21/823 |
主分类号 |
H01L27/105 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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