Forming method of a polysilicon contact plug using etch-back and manufacturing method of a semiconductor device using the same

摘要

본 발명은 다결정 실리콘으로 이루어진 컨택 플러그 형성방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 컨택 플러그 형성방법은, 컨택홀 내부를 메우면서 층간절연막 상에 증착된 다결정 실리콘을 SF, CHF및 CF의 혼합가스를 이용하여 에치 백하여 평탄화함으로써 컨택 플러그를 형성한다. 또한, 다결정 실리콘의 에치 백에 의해 형성된 다결정 실리콘 컨택 플러그 주위의 노출된 층간절연막을 추가로 전면식각함으로써 컨택 플러그를 돌출시킨다. 본 발명에 따르면, SF, CHF및 CF의 혼합가스를 이용하여 다결정 실리콘층을 에치 백함으로써 다결정 실리콘 컨택 플러그의 평탄도가 개선되고, 나아가 층간절연막을 추가로 전면 식각하여 컨택 플러그를 돌출시킴으로써 컨택 플러그의 함몰에 따른 컨택 실패의 문제를 해결할 수 있다.