| 摘要 |
<p>본 발명은 오염을 방지할 수 있는 공정에 의해 반도체장치의 전극 및 커패시터를 형성함으로써 반도체 소자를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 반도체 소자 제조방법은, 사전 세정공정, 하부전극 형성공정, 도핑공정, 장벽막 형성공정, 유전막 형성공정 및 상부전극 형성공정의 일부 또는 전부를 모두 동일한 챔버에서 진행하거나, 저 산소 분위기를 통해 다른 챔버에 이동시켜 진행하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 반도체 소자 제조방법에 따르면, 자연산화막의 성장 및 오염입자의 발생을 방지할 수 있다. 또한, 고용량 커패시터의 형성에 적합한 박막 재료물질을 이용할 수 있기 때문에, 고집적 반도체의 제조가 가능하다.</p> |
