| 主权项 |
1.一种III-V化合物半导体,其具有以通式InuGavAlwN(其 中0≦u≦1,0≦v≦1,0≦w≦1,u+v+w=1)表示之第一个III-V 化合物半导体形成的层,由不同于该第一个III-V化 合物半导体且不同于下文中提及之第二个III-V化 合物半导体之材料形成于该层上的图样,及以通式 InxGayAlzN(其中0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1,x+y+z=1)表示之 该第二个III-V化合物半导体在该第一个III-V化合物 半导体及该图样上形成的层,且其特征为不论X-光 入射的方向为何该第二个III-V化合物半导体之(0004 )反射X-光摆动曲线最大値一半处的全宽为700秒或 以下。2.一种III-V化合物半导体,其具有以通式 InuGavAlwN(其中0≦u≦1,0≦v≦1,0≦w≦1,u+v+w=1)表示之 第一个III-V化合物半导体形成的层,由不同于该第 一个III-V化合物半导体且不同于下文中提及之第 二个III-V化合物半导体之材料形成于该层上的图 样,及以通式InxGayAlzN(其中0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1,x +y+z=1)表示之该第二个III-V化合物半导体在该第一 个III-V化合物半导体及该图样上形成的层,且其特 征为该图样的上表面不与该第二个III-V化合物半 导体接触。3.如申请专利范围第1或2项之III-V化合 物半导体,其中,该图样系由W形成。4.如申请专利 范围第1或2项之III-V化合物半导体,其中,第一个III- V化合物半导体系以通式InuGavAlwN(其中0≦u≦1,0≦v ≦1,0.01≦w≦1,u+v+w=1)表示。5.如申请专利范围第1 或2项之III-V化合物半导体,其中,该图样系包含至 少两个彼此接触且由不同材料制成之层的层合物 。6.如申请专利范围第5项之III-V化合物半导体,其 中,该图样系包含至少一个由W制成之层及一个由W 之外的材料制成之层的层合物。7.如申请专利范 围第5项之III-V化合物半导体,其中,该图样系包含 至少一个由W制成之层及一个由SiO2制成之层的层 合物。8.一种电子装置,其特征在于其含有申请专 利范围第1或2项之III-V化合物半导体。9.一种发光 装置,其特征在于其含有申请专利范围第1或2项之 III-V化合物半导体。图式简单说明: 第一图系显示再成长如何依据先前技艺在图样上 进行的图形。 第二图A及第二图B提供以不同方向入射至实例1与 比较例1中之图样条纹之X-光摆动曲线的图形(平行 -第二图A;垂直-第二图B)。 |
