| 主权项 |
1.一种主动相位式阵列天线,所具有之构造是在介质体基板上具备有多个天线插线,和用以将高频电力施加在该介质体基板之供电端子;利用从该供电端子分支之供电线用来连接各个天线插线和供电端子;利用移相器使通过各个供电线之高频信号之相位可以进行电的变化,将该移相器配置成为构成该供电源之一部份;其特征是:该移相器之组合包含有以通常介质体作为基材之微带并合耦合器;以强介质体作为基材,而且与该微带并合耦合器电连接之微带短截线;经由对该微带短截线施加直流控制电压用来变化通过移相量。2.如申请专利范围第1项之主动相位式阵列天线,其中该多个天线插线被配置成矩阵状,在列方向和行方向成为等间隔;从各列之各个天线插线到供电端子之间加入之该移相器之数目,比邻接列之从各个天线插线到供电端子之间加入之该移相器之数目,顺序的多1;和从各行之各个天线插线到供电端子之间加入之该移相器之数目,比邻接行之从各个天线插线到供电端子之间加入之该移相器之数目,顺序的多1,以此方式配置该移相器;和该移相器全部具有相同之特性。3.如申请专利范围第1项之主动相位式阵列天线,其中该主动相位式阵列天线由7层之积层所构成;该7层中使最上层起依照顺序为第1层,第2层,…,第7层,其中第1,第3,第5,第7层为介质体,和第2,第4,第6层为导体;该主动相位式阵列天线具有由该第1,第2,第3,第4层构成之第1微带构造,和由该第4,第5,第6,第7层构成之第2微带构造,和该第1微带构造和该第2微带构造共同以该第4层作为接地层;在该第2层设置天线插线,在该第6层设置供电线和移相器,在该第3层组合空气,在该第5层组合空气和强介质体。4.如申请专利范围第2项之主动相位式阵列天线,其中该主动相位式阵列天线由7层之积层所构成;该7层中使最上层起依照顺序为第1层,第2层,…,第7层,其中第1,第3,第5,第7层为介质体,和第2,第4,第6层为导体;该主动相位式阵列天线具有由该第1,第2,第3,第4层构成之第1微带构造,和由该第4,第5,第6,第7层构成之第2微带构造,和该第1微带构造和该第2微带构造共同以该第4层作为接地层;在该第2层设置天线插线,在该第6层设置供电线和移相器,在该第3层组合空气,在该第5层组合空气和强介质体。5.一种主动相位式阵列天线,其特征是至少具备有:开放端短截线,以强介质体和强磁性体作为基材;和微带并合耦合器,以通常介质体作为基材。6.如申请专利范围第5项之主动相位式阵列天线,其中使接地导体,强介质体,条带导体,强磁性体顺序的积层用来构成该开放端短截线。7.如申请专利范围第5项之主动相位式阵列天线,其中使接地导体,强介质体,强磁性体,条带导体进行积层用来构成该开放端短截线;在该接地导体和该条带导体之间,将该强介质体和该强磁性体构建成依照与该接地导体面平行之面方向进行积层。8.一种天线控制装置,使用强介质体,强磁性体,通常介质体,和电极材料,以陶瓷之一体成形技术进行成形;其特征是该天线控制装置具备有移相器之功能。9.一种天线控制装置,使用强介质体,强磁性体,通常介质体,和电极材料,以陶瓷之一体成形技术进行成形;其特征是该天线控制装置具备有移相器和直流阻止元件之功能。10.一种天线控制装置,使用强介质体,强磁性体,通常介质体,和电极材料,以陶瓷之一体成形技术进行成形;其特征是:该天线控制装置具备有移相器,直流阻止元件,和防高频元件之功能。11.一种天线控制装置,使用强介质体,强磁性体,通常介质体,和电极材料,以陶瓷之一体成形技术进行成形;其特征是:该天线控制装置具备有移相器,直流阻止元件,防高频元件,和天线插线之功能。12.如申请专利范围第1项之主动相位式阵列天线,其中具备有申请专利范围第8至11项之任何一项之天线控制装置。13.如申请专利范围第2项之主动相位式阵列天线,其中具备有申请专利范围第8至11项之任何一项之天线控制装置。14.如申请专利范围第3项之主动相位式阵列天线,其中具备有申请专利范围第8至11项之任何一项之天线控制装置。15.一种主动相位式阵列天线,使具有天线插线和移相器交互串联连接之列状天线,和移相器进行交互串连接用来形成行列状天线;其特征是:具备有申请专利范围第8至11项之任何一项之天线控制装置。16.如申请专利范围第1至7项、第12至15项之任何一项之主动相位式阵列天线,其中该接地导体被扭绞加工。17.如申请专利范围第16项之主动相位式阵列天线,其中全部之该供电线路具备有条带导体由具有相同剖面形状之线状导体构成。18.如申请专利范围第1至7项,或第15项之任何一项之主动相位式阵列天线,其中在使支持介质体,接地导体,供电用条带导体进行积层藉以制成积层物之后,利用陶瓷之一体成形技术用来成形该积物层,和申请专利范围第8至11项之任何一项之天线控制装置。图式简单说明:第一图(a)是方块图,用来表示第1实施形态之主动相位式阵列天线之构造,(b)用来说明第1实施形态之主动相位式阵列天线之天线插线之收讯电波之最大敏感度方向。第二图(a)表示第1实施形态之主动相位式阵列天线之移相器之构造,(b)之图形表示控制电压所制成之偏移电场和微带短截线之有效介质常数之变化关系。第三图是分解斜视图,用来说明第1实施形态之主动相位式阵列天线之构造。第四图表示第1实施形态之主动相位式阵列天线之剖面构造(一部份)。第五图(a),第五图(b),第五图(c)表示第2实施形态之主动相位式阵列天线所使用之移相器之构造,(d)表示开放端短截线之控制电压所制作之偏移电场和高频电力所制作之磁场。第六图是斜视图,用来表示第3实施形态之天线控制装置。第七图(a)是方块图,用来表示第4实施形态之主动相位式阵列天线之构造,(b)用来说明第4实施形态之主动相位式阵列天线之天线插线之收讯电波之最大敏感度方向。第八图是斜视图,用来说明第5实施形态之主动相位式阵列天线之接地导体和条带导体之关系。第九图是第6实施形态之主动相位式阵列天线之斜视图。第十图(a)是方块图,用来表示习知之主动相位式阵列天线之构造,(b)是方块图,用来表示习知之主动相位式阵列天线所使用之移相器之构造。 |
