METHOD FOR PRODUCING A FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING A FLOATING GATE

摘要

Im Verlauf eines Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors mit einem Floating Gate wird eine Struktur gebildet, die offenliegende Seitenflanken einer Schicht aus dem Material des Floating Gates hat und die einer oxidierenden Atmosphäre ausgesetzt wird, um diese Seitenflanken und gleichzeitig andere Bereiche der Struktur mit einer isolierenden Oxidschicht zu überziehen. Erfindungsgemäss wird zu einem Zeitpunkt vor dem Einwirken der oxidierenden Atmosphäre Stickstoff in das Material des Floating Gates in einer Menge implantiert, welche die Oxidierung an dessen Seitenflanken merklich mindert.