发明名称 | 无机化合物固体的形成方法及使用了此方法的半导体装置的制造方法 | ||
摘要 | 用含有金属元素的有机化合物材料,通过比较低温的热处理形成良好的无机化合物固体(铁电体膜等)的方法。在形成铁电体膜时,含有金属元素的有机化合物材料的溶液被涂抹在半导体基板上(S41)。使此溶液干燥(S42)并预烧成此溶液(S43)。在达到规定的膜厚之前反复进行此工序(S44),然后进行有机物去除处理(S45)。有机物去除处理比如是通过在减压氛围气体中(大约50Torr)的加热处理(大约550℃)进行的。对由有机物去除处理得到的无机化合物材料进行正式烧成(S46)。正式烧成比如是在大约550℃的温度下进行的,由此使无机化合物材料结晶化。 | ||
申请公布号 | CN1326425A | 申请公布日期 | 2001.12.12 |
申请号 | CN99813501.1 | 申请日期 | 1999.11.22 |
申请人 | 罗姆股份有限公司 | 发明人 | 中村孝;藤森敬和 |
分类号 | C01G1/00 | 主分类号 | C01G1/00 |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
主权项 | 1. 一种无机化合物固体的形成方法,是烧成含有金属元素的有机化合物并形成无机化合物固体的方法,其特征在于包含对含有金属元素的有机化合物材料进行使用除热以外的手段的有机物去除处理形成无机化合物材料的有机物去除工序、烧成由该有机物去除工序得到的无机化合物材料并使之结晶化后得到无机化合物固体的结晶化工序。 | ||
地址 | 日本京都府 |