| 主权项 |
1.一种金氧半导体的制造方法,包括下列步骤:在一基底上形成一闸极;进行一淡离子植入步骤,在该闸极结构之两侧的该基底中形成一淡掺杂区;在该基底中之该淡掺杂区中的表面形成一离子掺杂区,其中该离子掺杂区延伸至该闸极结构两端的下方;在该闸极结构的侧壁形成一间隙壁;进行一浓离子植入步骤,在该间隙壁之两侧的该基底中植入离子,以形成一浓掺杂区;进行一热处理制程,以使该淡掺杂区与该浓掺杂区形成一具有淡掺杂结构之源/汲极,并同时使该离子掺杂区之离子与该基底反应,而于该源/汲极中的表面形成一阻挡层;在该基底上形成一介电层以覆盖该源/汲极区、该闸极与该间隙壁;去除部份该介电层与该阻挡层,以形成露出该闸极、该源/汲极表面的复数个接触窗开口;以及在该些接触窗开口中形成复数个导体。2.如申请专利范围第1项所述之金氧半导体的制造方法,其中形成该离子掺杂区的方法包括一大角度倾斜的离子植入法骤。3.如申请专利范围第2项所述之金氧半导体的制造方法,其中该大角度倾斜的离子植入步骤其植入离子包括氮。4.如申请专利范围第2项所述之金氧半导体的制造方法,其中该大角度倾斜的离子植入步骤其植入离子包括氧。5.如申请专利范围第2项所述之金氧半导体的制造方法,其中该大角度倾斜的离子植入步骤其植入角度约为7-45度。6.如申请专利范围第2项所述之金氧半导体的制造方法,其中该大角度倾斜的离子植入步骤其植入能量低于该淡离子植入步骤能量。7.如申请专利范围第2项所述之金氧半导体的制造方法,其中该大角度倾斜的离子植入步骤其植入剂量与该淡离子植入步骤之剂量相等。8.如申请专利范围第1项所述之金氧半导体的制造方法,其中该阻挡层的材质包括氧化矽与氮化矽其中之一。9.一种改善金氧半导体可靠度的方法,包括下列步骤:在一基底上形成一闸极;在该基底中形成一源/汲极区,其中该源/汲极区包括一淡掺杂结构;在该源/汲极区中的基底表面形成一阻挡层,该阻挡层延伸至部分该闸极结构的下方;在该基底上形成一介电层以覆盖该源/汲极区、该闸极与该间隙壁;在该介电层与该阻挡层中形成复数个接触窗开口;以及在该些介层接触窗开口之中形成复数个导体。10.如申请专利范围第9项所述之改善金氧半导体可靠度的方法,其中形成该阻挡层的方法包括一大角度倾斜的离子植入步骤。11.如申请专利范围第10项所述之改善金氧半导体可靠度的方法,其中该大角度倾斜的离子植入步骤其植入离子包括氮。12.如申请专利范围第10项所述之改善金氧半导体可靠度的方法,其中该大角度倾斜的离子植入步骤其植入离子包括氧。13.如申请专利范围第10项所述之改善金氧半导体可靠度的方法,其中该大角度倾斜的离子植入步骤其植入角度约为7-45度。14.如申请专利范围第10项所述之改善金氧半导体可靠度的方法,其中该大角度倾斜的离子植入步骤其植入能量约为30-50仟电子伏特。15.如申请专利范围第10项所述之改善金氧半导体可靠度的方法,其中该大角度倾斜的离子植入步骤其植入剂量约为1011-1012/cm2。16.如申请专利范围第9项所述之改善金氧半导体可靠度的方法,其中该阻挡层的材质包括氧化矽与氮化矽其中之一。17.如申请专利范围第9项所述之改善金氧半导体可靠度的方法,其中形成该淡掺杂结构的方法包括一离子植入法。18.如申请专利范围第17项所述之改善金氧半导体可靠度的方法,其中该离子植入步骤的植入剂量约为1011-1012/cm2。19.一种金氧半导体结构,包括:一基底:一源/汲极区,配置于该基底中;一闸极,配置于该源/汲极区之间的该基底上;以及一阻挡层,配置于部分该源/汲极区中之该基底表面上,并延伸至该闸极结构两端的下方。20.如申请专利范围第19项所述金氧半导体结构,其中该阻挡层包括一绝缘材质。21.如申请专利范围第20项所述金氧半导体结构,其中该阻挡层包括氧化矽。22.如申请专利范围第20项所述金氧半导体结构,其中该阻挡层包括氮化矽。图式简单说明:第一图A至第一图D是依照本发明一较佳实施例之金氧半导体之制造流程的剖面示意图。 |
