| 主权项 |
1.一种芳香族聚碳酸酯之制法,其系经由芳族碳酸二酯与芳族二羟基化合物之间的酯交换反应,其中芳族碳酸二酯系经由以下通式(1)所代表的芳族草酸二酯之脱羰反应而获得的:其中两个Ar系相同或不同而为具有6至14个碳原子的芳族羟基,及具有5ppm或更少的可水解性卤素含量,其中可水解性卤素系衍生自芳族草酸二酯之脱羰反应中所用的触媒,及其中该脱羰反应中所用的触媒是有机磷化合物与卤素化合物之组合或是含卤素的有机磷化合物。2.如申请专利范围第1项之芳香族聚碳酸酯之制法,其中芳族碳酸二酯含有2ppm或更少的可水解性卤素。3.如申请专利范围第1项之芳香族聚碳酸酯之制法,其中芳族碳酸二酯系由以下通式(2)所代表:其中,R1.R2.R3与R4相同或不同且各系氢原子,具有1至4个碳原子的烷基、苯基或卤素原子。4.如申请专利范围第1项之芳香族聚碳酸酯之制法,其中芳族二羟基化合物系由以下通式(3)所代表:其中W系-O-、-S-、-SO-、-SO2-,其中,n系0至4,R5与R6相同或不同且各系卤素原子或具有1至12个碳原子的羟基,R7与R8相同或不同且各系卤素原子、氢原子或具有1至12个碳原子的烃基,而R9系具有3至8个碳原子的伸烷基。5.如申请专利范围第1项之芳香族聚碳酸酯之制法,其中酯交换反应系于至少一种选自于硷金属化合物、硷土金属化合物及含氮的硷性化合物之触媒的存在下进行。6.如申请专利范围第1项之芳香族聚碳酸酯之制法,其中使用硷金属化合物、硷土金属化合物当作触媒,所用的总当量以酯交换反应中一莫耳芳族二羟基化合物为基准系110-8至510-5。7.如申请专利范围第1项之芳香族聚碳酸酯之制法,其中使用含氮的硷性化合物当作触媒,所用的总当量以酯交换反应中一莫耳芳族二羟基化合物为基准系110-5至110-3。8.如申请专利范围第1项之芳香族聚碳酸酯之制法,其中酯交换反应系在160至300℃的温度进行。9.如申请专利范围第1项之芳香族聚碳酸酯之制法,其中芳族碳酸二酯之获得系经由芳族草酸二酯之脱羰反应及用加热到温度高于芳族碳酸二酯之熔点的温度之热水作接触处理。10.申请专利范围第9项之芳香族聚碳酸酯之制法,其中热水的pH为8至10。11.申请专利范围第9项之芳香族聚碳酸酯之制法,其中在上述热水处理之前或之后,进行蒸馏而纯化。12.一种芳族碳酸二酯,其系经由以下通式(1)所代表的芳族草酸二酯之脱羰反应而获得的:其中两个Ar系相同或不同而为具有6至14个碳原子的芳族羟基,及含有5ppm或更少的可水解性卤素。13.如申请专利范围第12项之芳族碳酸二酯,其中系用于制造芳香族聚碳酸酯。14.一种芳香族聚碳酸酯,其系经由申请专利范围第12项之芳族碳酸二酯与芳族二羟基化合物之酯交换反应而获得的。 |
