| 发明名称 | 磁存储器元件、磁存储器及磁存储器的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的磁存储器在与至少层叠第一铁磁层、非磁性层、第二铁磁层的磁存储器元件的所述第二铁磁层的所述非磁性层侧不同的侧上经至少一个导电层设置第三铁磁层。这样,由于把磁存储器元件之间的距离作小来配置,与已有的磁存储器相比,可实现更高密度的磁存储器。另外,由于供给提供磁化信息的电流的第一导电层可靠近作为记录层的第二铁磁层来构成,即使是小电流也能产生使磁化反转的强大磁场,提供耗电量少的磁存储器。 | ||
| 申请公布号 | CN1320973A | 申请公布日期 | 2001.11.07 |
| 申请号 | CN01117335.1 | 申请日期 | 2001.03.22 |
| 申请人 | 夏普公司 | 发明人 | 道嶋正司;林秀和;南方量二 |
| 分类号 | H01L43/08;G11C11/15 | 主分类号 | H01L43/08 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 栾本生;王忠忠 |
| 主权项 | 1．一种磁存储器元件，在与至少层叠第一铁磁层(12)、非磁性层(13)、第二铁磁层(14)的磁存储器元件(1a)的第二铁磁层(14)的所述非磁性层(13)层叠侧不同的侧上经至少一个第一导电层(15)设置第三铁磁层(16)。 | ||
| 地址 | 日本大阪市 | ||