| 摘要 |
<p>본 발명은 산소와 질소로 도핑(doping)시키는 동안 초크랄 스키방법을 사용하여 인발(pulling)하는 실리콘단결정의 제조방법에 있어서, 그 단결정이 인발되는 동안 그 단결정을 농도 6.5×10원자/㎤ 미만의 산소와 농도 5×10/㎤ 이상의 질소로 도핑시킴을 특징으로 하는 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 또 단결정을 질소로 도핑시키고 그 단결정이 속도 V에서 인발되며, 축방향 온도구배 G(r)를 그 단결정과 용융물의 상간(interphase)에서 설정되는 실리콘용융물에서 단결정을 제조하는 방법에 있어서, 그 반경방향의 비 V/G(r)가 최소한 부분적으로 1.3×10㎤ minK보다 작음을 특징으로 하는 제조방법에 관한 것이다.</p> |
