| 摘要 |
<p>글래스의 구조 변경을 통하여, 유전막으로부터 글래스를 용이하게 분리할 수 있도록 한 열영상 검출용 초전소자 제조방법이 개시된다. 이를 구현하기 위하여 본 발명에서는, 유전막의 프론트면을 소정 부분 선택식각하여 상기 유전막 내에 복수의 홈을 형성하는 공정과; 상기 홈 내부의 슬레그를 제거하는 공정과; 상기 홈 내에만 선택적으로 에치스토퍼막을 형성하는 공정과; 상기 결과물 전면에, '공통 전극/페릴렌막/반투과성막' 적층 구조의 IR 흡수막을 형성하는 공정과; 상기 IR 흡수막 상에 복수의 관통 홀이 구비된 글래스를 부착하는 공정과; 상기 에치스토퍼막이 노출되도록 상기 유전막의 백면을 소정 두께 폴리싱하여 유전막 패턴을 형성하는 공정과; 상기 유전막 패턴의 백면 상에만 선택적으로 제 1 금속 전극을 형성하는 공정과; 상기 제 1 금속 전극 상에 인듐 범프를 형성하는 공정; 및 메사 형상의 아이솔레이션 절연막과 제 2 금속 전극이 구비된 반도체 칩을 준비한 다음, 상기 인듐 범프를 매개체로 이용하여 상기 제 2 금속 전극과 상기 제 1 금속 전극 간을 플립 칩 본딩하는 공정으로 이루어진 열영상 검출용 초전소자 제조방법이 제공된다.</p> |
