发明名称 METHOD FOR REMOVING RESIDUAL CHARGE ON SURFACE OF WAFER
摘要 <p>본 발명은 이온 중화 장치를 이용하여 정전척을 구비한 플라즈마 장치내의 웨이퍼 표면의 잔류 전하를 중화시키도록 한 웨이퍼 표면의 잔류 전하 제거 방법에 관한 것으로, 정전척을 구비한 플라즈마 장비내의 웨이퍼에 메인 공정을 진행하는 단계, 상기 정전척에 전원을 공급하여 웨이퍼를 디척킹하는 단계, 상기 플라즈마 장비내에 플라즈마를 유도하여 상기 웨이퍼 표면의 잔류 전하를 1 차 방전하는 단계, 상기 플라즈마 장비내에 이온 중화 장치를 이용하여 중화 이온을 주입하는 단계, 상기 중화 이온을 웨이퍼 표면으로 전달하는 단계, 상기 웨이퍼 표면에 존재하는 잔류 전하와 중화 이온을 중화시키어 상기 웨이퍼 표면의 잔류 전하를 2 차 방전시키는 단계를 포함하여 이루어진다.</p>
申请公布号 KR100304981(B1) 申请公布日期 2001.11.01
申请号 KR19990028714 申请日期 1999.07.15
申请人 null, null 发明人 남상우
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人
主权项
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