发明名称 Integrierter Halbleiter-Schaltkreis mit einer verminderten Zeitdifferenz und Layout-Verfahren bei der Konstruktion eines integrierten Halbleiter-Schaltkreises
摘要 Die vorliegende Erfindung schafft ein Layout-Verfahren bei der Konstruktion eines integrierten Halbleiter-Schaltkreises mit Taktsignal-Verzweigungswegen. Das Verfahren umfaßt die folgenden Schritte: das Extrahieren von Verzögerungswerten aus den Taktsignal-Verzweigungswegen; das Berechnen eines Durchschnitts-Verzögerungswerts aus den extrahierten Verzögerungswerten; das Vergleichen jedes Verzögerungswerts der Taktsignal-Verzweigungswege mit dem Durchschnittswert zum Extrahieren von Flip-Flop-Schaltkreisen, die mit den Taktsignal-Verzweigungswegen verbunden sind, welche kleinere Verzögerungswerte als den Durchschnitts-Verzögerungswert aufweisen; und das Ausführen eines Stapelersatzverfahrens für den Stapelersatz aller extrahierten Flip-Flop-Schaltkreise durch Ersatz-Verzögerungs-Flip-Flop-Schaltkreise, welche eine eine Differenz zwischen dem Durchschnitts-Verzögerungswert und einem maximalen Wert der Verzögerungswerte aller Taktsignal-Verzweigungswege kompensierende Verzögerung aufweisen.
申请公布号 DE10102141(A1) 申请公布日期 2001.10.25
申请号 DE20011002141 申请日期 2001.01.18
申请人 NEC CORP., TOKIO/TOKYO 发明人 KATO, AKITOSHI
分类号 G06F1/10;G06F17/50;H01L21/82;H01L21/822;H01L27/04;(IPC1-7):H03K5/153;H01L23/58;G11C7/22 主分类号 G06F1/10
代理机构 代理人
主权项
地址