| 主权项 |
1.一种化学机械式研磨之温度控制装置,至少包含:一气体供给装置,该气体供给装置产生气体进入研磨头;一气体温度控制装置,和该气体供给装置耦合,用以控制由该气体供给装置产生之该气体的温度;一研磨头,该研磨头至少包含一薄膜,该薄膜受该气体压力后膨胀,并接触研磨晶圆;一研磨平台,该研磨平台上方并包含一研磨垫;以及一温度检测装置,用以检测该研磨晶圆之温度。2.如申请专利范围第1项之温度控制装置,其中上述之气体供给装置产生之气体为氮气。3.如申请专利范围第1项之温度控制装置,其中上述之气体温度控制装置为利用液体流动以达到温度控制之目的。4.如申请专利范围第1项之温度控制装置,其中上述之研磨头内之该薄膜受气体压力达到5psi时,该薄膜接触到该研磨头下方之该晶圆。5.如申请专利范围第1项之温度控制装置,其中上述之薄膜膨胀后压迫该研磨晶圆,使该研磨晶圆形成一曲面并接触该研磨垫。6.如申请专利范围第1项之温度控制装置,其中上述薄膜之温度受到该输入气体温度之影响。7.如申请专利范围第1项之温度控制装置,其中上述晶圆薄膜之温度受到该薄膜温度之影响。8.如申请专利范围第1项之温度控制装置,其中上述之温度检测装置系为一非接触式温度检测装置。9.如申请专利范围第1项之温度控制装置,其中上述之温度检测装置至少包含一红外线测温装置。10.如申请专利范围第1项之温度控制装置,其中上述之温度检测装置将其检测结果传至该气体温度控制装置。11.一种化学机械式研磨之温度控制装置,至少包含:一气体供给装置,该气体供给装置产生气体进入研磨头;一气体温度控制装置,用以控制由该气体供给装置产生之该气体的温度;一研磨头,该研磨头少包含一薄膜,该薄膜受该气体压力后膨胀,并接触研磨晶圆;以及一研磨平台,该研磨平台上方并包含一研磨垫。12.如申请专利范围第11项之温度控制装置,其中上述之气体供给装置产生之气体为氮气。13.如申请专利范围第11项之温度控制装置,其中上述之气体温度控制装置为利用液体流动以达到温度控制之目的。14.如申请专利范围第11项之温度控制装置,其中上述之研磨头内之该薄膜受气体压力达到5psi时,该薄膜接触到该研磨头下方之该晶圆。15.如申请专利范围第11项之温度控制装置,其中上述之薄膜膨胀后压迫该研磨晶圆,使该研磨晶圆形成一曲面并接触该研磨垫。16.如申请专利范围第11项之温度控制装置,其中上述薄膜之温度受到该输入气体温度之影响。17.如申请专利范围第11项之温度控制装置,其中上述之晶圆薄膜之温度受到该薄膜温度之影响。18.一种化学机械式研磨之温度控制装置,至少包含:一气体供给装置,该气体供给装置产生气体进入研磨头;一气体温度控制装置,用以控制由该气体供给装置产生之该气体的温度;以及一研磨头,该研磨头至少包含一薄膜,该薄膜受该气体压力后膨胀,并接触研磨晶圆。19.如申请专利范围第18项之温度控制装置,其中上述之气体供给装置产生之气体为氮气。20.如申请专利范围第18项之温度控制装置,其中上述之气体温度控制装置为利用液体流动以达到温度控制之目的。21.如申请专利范围第18项之温度控制装置,其中上述之研磨头内之该薄膜受气体压力达到5psi时,该薄膜接触到该研磨头下方之该晶圆。22.如申请专利范围第18项之温度控制装置,其中上述之薄膜膨胀后压迫该研磨晶圆,使得研磨过程中该研磨晶圆形成一曲面。23.如申请专利范围第18项之温度控制装置,其中上述薄膜之温度受到该输入气体温度之影响。24.如申请专利范围第18项之温度控制装置,其中上述之晶圆薄膜之温度受到该薄膜温度之影响。图式简单说明:第一图为一说明化学机械研磨设备的简图;第二图为一说明以气体温度控制研磨晶圆温度之示意图;第三图为一说明研磨头内以气体调整晶圆温度之概略构造图; |
