| 主权项 |
1.一种形成磁性随机存取记忆体之磁层的方法,该方法至少包含下列步骤:提供一基底,该基底至少包含一电晶体于其内部;形成多数个金属结构于该基底之顶面;形成一中止层于该基底之顶面,该中止层系均一地覆盖该些金属结构;形成一缓冲层均一地覆盖于该中止层;形成一介电层于该缓冲层之顶面,其中该介电层之厚度需大于该些金属结构的高度;执行一移除程序以移除部份之该介电层与部份之该缓冲层,使得该些金属结构之顶面仅为该中止层所覆盖;以及形成一磁层于该介电层之顶面。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之基底更包含由互补式金属氧化物半导体制程所形成之一电路。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之金属结构为金属线。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之中止层为氮化矽层。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之缓冲层为低臭氧四氧乙基矽二氧化矽层。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之缓冲层为电浆沉积氮化矽层。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之缓冲层厚度介于800埃至2000埃之间。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之介电层厚度至少需大于4000埃。9.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之介电层是高臭氧四氧乙基矽二氧化矽层。10.如申请专利范围第1项之方法,在移除程序完成后该些金属结构顶部上之该中止层的厚度度约1500埃到2500埃。11.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之移除程序为一蚀刻制程。12.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之移除程序为一化学机械研磨制程。图式简单说明:第一图A至第一图D是一系列有关磁性随机存取记忆体传统结构与一般缺陷的截面图示;以及第二图A至第二图E是一系列有关本发明的一个较佳实施例的必要步骤的截面图示。 |
