| 主权项 |
1.一种改善清洗效果之晶片结构,至少包括:一基板;一晶片,具有一主动表面、相对于该主动表面之一背面、以及一倒角,其中该倒角位于该晶片之该主动表面四周;复数个凸块,将该晶片之该主动表面与该基板电性连接;以及一底部填料,填入该基板与该晶片之该主动表面之间,并覆盖该些凸块。2.如申请专利范围第1项所述之改善清洗效果之晶片结构,其中该晶片系以二段切割成型。3.如申请专利范围第1项所述之改善清洗效果之晶片结构,其中该晶片之该倒角系以切割成型。4.如申请专利范围第1项所述之改善清洗效果之晶片结构,其中该些凸块之材质系为锡铅合金。5.如申请专利范围第1项所述之改善清洗效果之晶片结构,其中该底部填料之材质系为环氧树脂。6.一种改善清洗效果之晶片结构,至少包括:一基板;一晶片,具有一主动表面、相对于该主动表面之一背面、一倒角、以及复数个凸块,其中该倒角位于该晶片之该主动表面四周,而该些凸块配置于该晶片之该主动表面,并与该基板电性连接;以及一底部填料,填入该基板与该晶片之该主动表面之间,并覆盖该些凸块。7.如申请专利范围第6项所述之改善清洗效果之晶片结构,其中该晶片系以二段切割成型。8.如申请专利范围第6项所述之改善清洗效果之晶片结构,其中该晶片之该倒角系以切割成型。9.如申请专利范围第6项所述之改善清洗效果之晶片结构,其中该些凸块之材质系为锡铅合金。10.如申请专利范围第6项所述之改善清洗效果之晶片结构,其中该底部填料之材质系为环氧树脂。图式简单说明:第一图A所绘示为习知覆晶型态球栅格阵列封装之剖面图。第一图B所绘示为习知覆晶型态球栅格阵列封装之部分放大图。第二图A绘示依照本发明改善清洗效果之晶片结构较佳实施例之剖面图。第二图B绘示依照本发明改善清洗效果之晶片结构较佳实施例之部分放大图第三图绘示依照本发明改善清洗效果之晶片结构较佳实施例之晶片部分放大图。 |
