半导体器件以及形成该器件的方法

摘要

在具有薄膜状有源层的一个场效应型器件中提供了一个薄膜状半导体器件,该器件包括在该有源层上的一个顶部侧栅极和连接到一稳定电位的一个底部侧栅极,底部侧栅极被提供在有源层和一基片之间。底部侧栅极可以电连接到场效应型器件的源极和漏极中的唯一一个极。本申请也公开了其制造方法。

主权项

1．一种半导体器件，包括：至少第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，设在整个衬底上；其特征在于，各所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管包括一对杂质区、一个设在所述杂质区之间的沟道区和一个设在整个所述沟道区的栅电极，栅电极与所述沟道区之间有第一栅绝缘膜；其中只有所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管还有一个导电层处于所述沟道区的下方，导电层与所述沟道区之间有第二绝缘膜。