| 主权项 |
1.一种半导体装置,其系包括; 具有电极之半导体元件,与 连接于上述电极之配线层,与 在避开上述电极之位置设于上述配线层之导通层, 与以超过上述导通层外周轮廓之大小设于上述导 通层上,较上述导通层更容易变形之质地金属层, 与 设于上述质地金属层上之块件,与 设于上述导通层周围之树脂层。2.如申请专利范 围第1项之半导体装置,其中上述块件,系以超过上 述导通层外周轮廓之大小形成, 上述块件与上述质地金属层所接触领域之投影面 积,为较上述质地金属层与上述导通层所接触领域 之投影面积为大之半导体装置。3.如申请专利范 围第1项之半导体装置,其中上述树脂层,系接触于 上述质地金属层下面之至少一部分之半导体装置 。4.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中上述 树脂层,系接触于上述质地金属层下面之至少一部 分之半导体装置。5.如申请专利范围第1项之半导 体装置,其中上述树脂层,系设于从上述质地金属 层下面离开之半导体装置。6.如申请专利范围第2 项之半导体装置,其中上述树脂层,系设于从上述 质地金属层下面离开之半导体装置。7.如申请专 利范围第1项,第2项,第3项,第4项,第5项,第6项之任 一项之半导体装置,其中在上述质地金属层下面与 上述树脂层之间设有接着剂。8.如申请专利范围 第1项,第2项,第3项,第4项,第5项,第6项之任一项之 半导体装置,其中上述导通层系其高度为12-300m 程度,直径为20-100m程度之半导体装置。9.如申请 专利范围第7项之半导体装置,其中上述导通层系 其高度为12-300m程度,直径为20-100m程度之半导 体装置。10.一种电路基板,系形成有配线图案之电 路基板,藉由将包含:具有电极的半导体元件,和连 接于前述电极的配线层,和设在前述配线层上之避 开前述电极的位置之导电层,和设在前述导电层上 ,其大小超过前述导电层的外周轮廓,且较之前述 导电层更容易变形的质地金属层,和设在前述质地 金属层上的块件,和设在前述导电层的周围的树脂 层之半导体装置,利用前述配线图案与前述块件的 电性连接而被装设在该电路基板上者。11.一种电 子机器,其具备有:包含具有电极的半导体元件,和 连接于前述电极的配线层,和设在前述配线层上之 避开前述电极的位置之导电层,和设在前述导电层 上,其大小超过前述导电层的外周轮廓,且较之前 述导电层更容易变形的质地金属层,和设在前述质 地金属层上的块件,和设在前述导电层的周围之树 脂层之半导体装置。12.一种半导体装置之制造方 法,其系包括; 准备电极与形成连接于上述电极之配线层之半导 体元件之制程,与 在避开上述电极之位置于上述配线层设置导通层 之制程,与 以超过上述导通层外周轮廓之大小,并且,将较上 述导通层更容易变形之质地金属层设置于上述导 通层上之制程,与 在上述质地金属层上设置块件之制程,与 在上述导通层周围设置树脂层之制程。13.如申请 专利范围第12项之半导体装置之制造方法,其中设 置上述导通层及上述树脂层之制程,系包括; 位于上述配线上将上述导通层形成领域作为开口 部加以开口,以形成上述树脂层之第1制程,与 使用印刷在上述开口部,填充对于黏合剂分散导电 填充料所成之导电浆之第2制程, 加热上述导电浆,硬化上述黏合剂而密贴于上述配 线之第3制程。14.如申请专利范围第13项之半导体 装置之制造方法,其中在上述第3制程,溶解上述导 电填充料而密贴于上述配线之半导体装置之制造 方法。15.如申请专利范围第12.13或14项之半导体装 置之制造方法,其中设置上述质地金属层之制程, 系设置上述导通层及上述树脂层之后,将避开与上 述导通层之接触部分设接着剂之金属箔,在真空下 张贴于上述导通层及上述树脂层上,在大气压下将 上述导通层与上述金属箔间抽成真空,以密贴上述 导通层与上述金属箔之第1制程,与 将上述金属箔形成为上述质地金属层形状图案之 第2制程。16.如申请专利范围第12项之半导体装置 之制造方法,其中设置上述导通层及上述质地金属 层之制程,系包括; 在包含上述导通层形成领域,设置第1导电材料之 第1制程,与 不仅对应于上述导通层形成领域并且形成形成位 于上述第1导电材料上之第1开口部之第1抗蚀剂层 之第2制程,与 位于上述第1开口部内而在上述第1导电材料上设 置第2导电材料之第3制程,与 将形成对应于上述质地金属层形成领域之第2开口 部之第2抗蚀剂层,形成于上述抗蚀剂层上之第4制 程,与在上述第2开口部设置金属材料以形成上述 质地金层之第5制程,与 去除上述第1及第2抗蚀层,成形上述第1导电材料之 图案,从上述第1导电材料之一部分及从上述第2导 电材料形成上述导通层之第6制程。图式简单说明 : 第一图系表示有关本发明第1实施形态之半导体装 置之图, 第二图系表示有关本发明第1实施形态变形例之半 导体装置之图, 第三图系表示有关本发明第1实施形态变形例之半 导体装置之图, 第四图A-第四图C系表示有关本发明之第2实施形态 之半导体装置之制造方法之图, 第五图A-第五图C系表示有关本发明之第2实施形态 之半导体装置之制造方法之图, 第六图A-第六图B系表示有关本发明之第2实施形态 之半导体装置之制造方法之图, 第七图A-第七图C系表示有关本发明之第3实施形态 之半导体装置之制造方法之图, 第八图A-第八图C系表示有关本发明之第3实施形态 之半导体装置之制造方法之图, 第九图系表示封装有关本实施形态之半导体装置 之电路基板之图, 第十图系表示备有有关本实施形态之半导体装置 之电子机器之图。 |
