| 主权项 |
1.一种ESD防护电晶体的形成方法,该方法至少包含以下步骤:提供一半导体基板,该半导体基板上具有功能区与ESD防护区,该功能区及该ESD防护区分别皆具有至少一电晶体,该功能区电晶体具有由下而上之闸极氧化层/复晶矽层/金属矽化物层/氮化矽覆盖层堆叠并有氮化矽间隙壁的闸极结构形成于该半导体基板上,该ESD防护区也具有闸极氧化层/复晶矽层/金属矽化物层/氮化矽覆盖层堆叠之闸极结构,且该半导体基板上并有一氮化矽衬层/内连线介电层,覆盖该电晶体,及该半导体基板的其余区域上;施以第一次微影及蚀刻技术,图案化该内连线介电层用以形成连接该功能区的该电晶体之源/汲极区的接触洞;施以第二次微影及蚀刻技术,图案化该内连线介电层用以形成连接该功能区的该电晶体之闸极的接触洞及该ESD防护区的该电晶体之汲极区及闸极的接触洞;及施以离子布植,全面布植p导电型离子,用以于ESD防护区的该电晶体之汲极区形成一p导电型离子掺杂区,以该金属矽化物层,防止该导电型离子掺杂该复晶矽层中。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之氮化矽衬层厚度约为300-600。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之氮化矽覆盖层厚度约为1000-2000。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一次微影及蚀刻技术步骤,至少包含以下步骤:形成一光阻图案于该内连线介电层上以定义该功能区源/汲极接触洞;施以非等向性蚀刻,以该光阻图案为罩幕,该氮化矽间隙壁为阻挡层及该氮化矽衬层为蚀刻终止层;蚀刻该氮化矽衬层,用以曝露出该半导体基板,以形成源/汲极接触洞;及去除该光阻图案。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二次微影及蚀刻技术步骤,至少包含以下步骤:形成一光阻图案于该内连线介电层上以定义该功能区闸极接触洞及该ESD防护区的该电晶体之汲极区及闸极的接触洞;施以非等向性蚀刻,以该光阻图案为罩幕,该氮化矽覆盖层为蚀刻终止层;蚀刻该氮化矽覆盖层,用以曝露出该金属矽化物层及该半导体基板以形成上述接获洞;及去除该光阻图案。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之p导电型离子布植的能量和剂量分别为50-80 keV和1E15-4E15/cm2。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之p导电型离子掺杂区系用以使源极至汲极的电子可以向汲极接面(junction)下方扩散。8.一种ESD防护电晶体的形成方法,该方法至少包含以下步骤:提供一半导体基板,该半导体基板上具有功能区与ESD防护区,该功能区及该ESD防护区分别皆具有至少一电晶体,该功能区电晶体具有由下而上之闸极氧化层/复晶矽层/氮化矽覆盖层堆叠并有氮化矽间隙壁的闸极结构形成于该半导体基板上,该ESD防护区也具有闸极氧化层/复晶矽层/氮化矽覆盖层堆叠之闸极结构,且该半导体基板上并有一氮化矽衬层/内连线介电层,覆盖该电晶体,及该半导体基板的其余区域上;施以第一次微影及蚀刻技术,图案化该内连线介电层用以形成连接该功能区的该电晶体之源/汲极区的接触洞;施以第二次微影及蚀刻技术,图案化该内连线介电层用以形成连接该功能区的该电晶体之闸极的接触洞及该ESD防护区的该电晶体之汲极区及闸极的接触洞;及施以离子布植,全面布植n导电型离子,用以于ESD防护区的该电晶体之汲极区形成一离子掺杂区,以该金属矽化物层,防止该导电型离子掺杂该复晶矽层中。9.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之氮化矽衬层厚度约为300-600。10.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之氮化矽覆盖层厚度约为1000-2000。11.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之第一次微影及蚀刻技术步骤,至少包含以下步骤:形成一光阻图案于该内连线介电层上以定义该功能区源/汲极接触洞;施以非等向性蚀刻,以该光阻图案为罩幕,该氮化矽间隙壁为阻挡层及该氮化矽衬层为蚀刻终止层;蚀刻该氮化矽衬层,用以曝露出该半导体基板,以形成源/汲极接触洞;及去除该光阻图案。12.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之第二次微影及蚀刻技术步骤,至少包含以下步骤:形成一光阻图案于该内连线介电层上以定义该功能区闸极接触洞及该ESD防护区的该电晶体之汲极区及闸极的接触洞;施以非等向性蚀刻,以该光阻图案为罩幕,该氮化矽覆盖层为蚀刻终止层;蚀刻该氮化矽覆盖层,用以曝露出该复晶矽层及该半导体基板以形成上述接获洞;及去除该光阻图案。13.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之ESD防护区之该电晶体之闸极结构更包含一金属矽化物层形成于该复晶矽层及该氮化矽覆盖层之间。14.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之p导电型离子布植的能量和剂量分别为50-80 keV和2E15-4E15/cm2。15.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之n导电型离子掺杂区系用以使源极至汲极的电子更容易透穿而使ESD防护电晶体更容易透穿。图式简单说明:第一图A及第一图B显示依据习知技术,分别形成电晶体之源/汲极接触洞及闸极接触洞的横截面视图。第二图显示依据本发明技术,形成功能区电晶体之源/汲极接触洞的横截面视图。第三图显示依据本发明技术,在形成ESD防护电晶体之汲极、闸极接触洞及功能区电晶体之闸极接触洞后再施以离子布植以形成一掺杂区于ESD防护电晶体之汲极的横截面视图。 |
