| 主权项 |
1.一种调节研磨垫之终端作用器,该终端作用器至 少包含: 基材; 基质材料,贴合在该基材之第一表面;及 复数个结晶体,以一足够量埋陷在该基质材料中, 以避免在进行研磨垫调节程序时,自该基质材料中 移动或脱离;其中上述之每一结晶体以至少一预定 的比例埋陷在该基质材料中。2.如申请专利范围 第1项所述之终端作用器,其中上述之基质材料为 一聚合物。3.如申请专利范围第1项所述之终端作 用器,其中上述之复数个结晶体具有相同的方向。 4.如申请专利范围第3项所述之终端作用器,其中上 述之每一结晶体以至少75%的比例埋陷于该基质材 料中。5.如申请专利范围第3项所述之终端作用器, 其中上述之复数个结晶体包含一已知数量之结晶 体。6.如申请专利范围第3项所述之终端作用器,其 中上述之每一结晶体具有80-100m范围的尺寸。7. 如申请专利范围第6项所述之终端作用器,其中上 述之复数个结晶体是以中心点至中心点约200m的 距离隔开。8.如申请专利范围第3项所述之终端作 用器,其中上述之每一结晶体具有约200m的尺寸 。9.如申请专利范围第8项所述之终端作用器,其中 上述之复数个结晶体是以中心点至中心点约400m 的距离隔开。10.如申请专利范围第3项所述之终端 作用器,其中上述之复数个结晶体从该基质材料中 延伸一近乎相等量以便于形成近乎平坦的外观。 11.如申请专利范围第10项所述之终端作用器,其中 上述之复数个结晶体是以中心点至中心点约400m 的距离隔开,其中该每一结晶体具有近乎200m的 尺寸。12.如申请专利范围第1项所述之终端作用器 ,其中上述之基质材料具有一表面,该表面包含复 数个凸起部位。13.如申请专利范围第12项所述之 终端作用器,其中上述之复数个结晶体从至少一部 分的凸起部位上向外放射状延伸。14.如申请专利 范围第12项所述之终端作用器,其中上述之基质材 料具有一表面,且该表面包含复数个下凹处与复数 个上凸处。15.如申请专利范围第12项所述之终端 作用器,其中上述之每一结晶体以至少75%的比例埋 陷于该基质材料中。16.如申请专利范围第12项所 述之终端作用器,其中上述之复数个结晶体包含一 预定数量之结晶体。17.如申请专利范围第12项所 述之终端作用器,其中上述之每一结晶体具有80-100 m范围的尺寸。18.如申请专利范围第12项所述之 终端作用器,其中上述之复数个结晶体是以中心点 至中心点约200m的距离隔开。19.如申请专利范围 第12项所述之终端作用器,其中上述之每一结晶体 具有约200m的尺寸。20.如申请专利范围第12项所 述之终端作用器,其中上述之复数个结晶体是以中 心点至中心点约400m的距离被隔开。21.如申请专 利范围第12项所述之终端作用器,其中上述之复数 个结晶体从该基质材料中延伸一近乎相等量。22. 如申请专利范围第12项所述之终端作用器,其中上 述之复数个结晶体是以中心点至中心点约400m的 距离隔开,其中该每一结晶体具有约200m的尺寸 。23.如申请专利范围第12项所述之终端作用器,其 中上述之复数个结晶体相对于该基质材料,具有相 同的方向。24.一种研磨半导体晶圆的装置,该装置 至少包含: 一研磨垫; 申请专利范围第1项所述之终端作用器,耦合至该 研磨垫;及 一机构,用以移动该终端作用器于该研磨垫表面上 ,使该复数个结晶体粗糙化该研磨垫表面。25.一种 研磨半导体晶圆的装置,该装置至少包含: 一研磨垫; 申请专利范围第2项所述之终端作用器,耦合至该 研磨垫;及 一机构,用以移动该终端作用器于该研磨垫表面上 ,使该复数个结晶体粗糙化该研磨垫表面。26.一种 研磨半导体晶圆的装置,该装置至少包含: 一研磨垫; 申请专利范围第3项所述之终端作用器,耦合至该 研磨垫;及 一机构,用以移动该终端作用器于该研磨垫表面上 ,使该复数个结晶体粗糙化该研磨垫表面。27.一种 研磨半导体晶圆的装置,该装置至少包含: 一研磨垫; 申请专利范围第4项所述之终端作用器,耦合至该 研磨垫;及 一机构,用以移动该终端作用器于该研磨垫表面上 ,使该复数个结晶体粗糙化该研磨垫表面。28.一种 研磨半导体晶圆的装置,该装置至少包含: 一研磨垫; 申请专利范围第5项所述之终端作用器,耦合至该 研磨垫;及 一机构,用以移动该终端作用器于该研磨垫表面上 ,使该复数个结晶体粗糙化该研磨垫表面。29.一种 研磨半导体晶圆的装置,该装置至少包含: 一研磨垫; 申请专利范围第6项所述之终端作用器,耦合至该 研磨垫;及 一机构,用以移动该终端作用器于该研磨垫表面上 ,使该复数个结晶体粗糙化该研磨垫表面。30.一种 研磨半导体晶圆的装置,该装置至少包含: 一研磨垫; 申请专利范围第8项所述之终端作用器,耦合至该 研磨垫;及 一机构,用以移动该终端作用器于该研磨垫表面上 ,使该复数个结晶体粗糙化该研磨垫表面。31.一种 研磨半导体晶圆的装置,该装置至少包含: 一研磨垫; 申请专利范围第16项所述之终端作用器,耦合至该 研磨垫;及 一机构,用以移动该终端作用器于该研磨垫表面上 ,使该复数个结晶体粗糙化该研磨垫表面。32.一种 研磨半导体晶圆的装置,该装置至少包含: 一研磨垫; 申请专利范围第19项所述之终端作用器,耦合至该 研磨垫;及 一机构,用以移动该终端作用器于该研磨垫表面上 ,使该复数个结晶体粗糙化该研磨垫表面。33.一种 研磨半导体晶圆的装置,该装置至少包含: 一研磨垫; 申请专利范围第21项所述之终端作用器,耦合至该 研磨垫;及 一机构,用以移动该终端作用器于该研磨垫表面上 ,使该复数个结晶体粗糙化该研磨垫表面。34.一种 检查研磨板特性的方法,其中该研磨板具有传导基 材,且一基质贴合在该基材上,该基质并具有复数 个研磨粒子埋陷于其中,该方法至少包含: 提供一具有传导基材的研磨板与贴合在该基材上 之基质,其中该基质具有复数个研磨粒子埋陷于其 中; 配置绝缘材料在该基质上; 配置传导材料在该绝缘材料上; 当把该传导材料压向该传导基材时,在该传导材料 与该基材之间供应电压; 在该传导材料与该基材之间量测电容値;及 使用该电容値来决定是否任一该研磨粒子已自该 基质上脱离。图式简单说明: 第一图为本发明之终端作用器的第一实施例之侧 面放大图。 第二图A为本发明之终端作用器的基材所使用的较 佳表面配置之上部平面图。 第二图B为在第二图A中沿着基材上2B-2B线的侧面图 。 第二图C为在第二图A中沿着基材上2C-2C线的侧面图 。 第三图为本发明之终端作用器所使用第二图A-第 二图C之基材的实施例之侧面放大图。 第四图为本发明第一图之终端作用器所显示一有 效监视特性装置之侧面正视图。 第五图为使用本发明第一图或第三图之终端作用 器的研磨装置之上部平面图。 |
