| 主权项 |
1.一种半导体产品制造用之设备,特别是晶圆加工 用之设备,其具有:一种在至少一个无尘室中由多 个制造单元所形成之配置,一种供应系统,以便供 应或排除这些制造单元所用之生产原料,其特征为 : 此种供应系统具有一第一供应管线(7a)和去除管线 (8a),较周围大气还重之生产原料由上向下传送至 这些管线(7a,8a)中;另具有第二供应管线(7b)和去除 管线(8b),较周围大气还轻之生产原料由下往上供 应至这些管线(7b,8b)中。2.如申请专利范围第1项之 设备,其中无尘室(2)位于大楼(5)之楼层(6)中,至少 在此大楼(5)之分别位于无尘室(2)上方和下方之楼 层(9,10)存在一些贮存器以便容纳此生产原料。3. 如申请专利范围第1或第2项之设备,其中流体式生 产原料或气体形式之生产原料(其较周围之大气还 重且可经由第一供应管线(7a)而供应至制造单元(1) 用之贮存器是配置在无尘室(2)上方之楼层(9)中。4 .如申请专利范围第3项之设备,其中接收流体式或 气体式生产原料(其较周围大气还重)所用之贮存 器是配置在无尘室(2)下方之楼层(10)中,生产原料 可经由第一去除管线(8a)而供应至此贮存器中。5. 如申请专利范围第1或第2项之设备,其中气体式生 产原料(其较周围大气还轻且可经由第二供应管线 (7b)而供应至制造单元(1))用之贮存器配置在无尘 室(2)下方之楼层(10)中。6.如申请专利范围第5项之 设备,其中接收气体式生产原料(其较周围大气还 轻)所用之贮存器配置在无尘室(2)上方之楼层(9)中 ,生产原料可经由第二去除管线(8b)而供应至此贮 存器中。7.如申请专利范围第6项之设备,其中接收 这些由制造单元(1)所排出之流体式生产原料所用 之贮存器是以接收式容器(14)构成。8.如申请专利 范围第1或第2项之设备,其中第一供应管线(7a)和第 二去除管线(8b)经由无尘室(2)之外罩(11)而延伸。9. 如申请专利范围第1或第2项之设备,其中第二供应 管线(7b)和第一去除管线(8a)经由无尘室(2)之底部( 12)而延伸。10.如申请专利范围第1项之设备,其中 设有最纯之水,纯水或冷却水以作为流体式生产原 料。11.如申请专利范围第3项之设备,其中设有最 纯之水,纯水或冷却水以作为流体式生产原料。12. 如申请专利范围第1或第10项之设备,其中设有流体 式化学剂以作为流体式生产原料。13.如申请专利 范围第12项之设备,其中流体式化学剂是由蚀刻溶 液(特别 KOH或 NaOH)所形成以便进行各蚀刻过程。14 .如申请专利范围第12项之设备,其中流体式化学剂 是由硷性或酸性溶液所形成以便使晶圆净化。15. 申请专利范围第13项之设备,其中流体式化学剂是 由硷性或酸性溶液所形成以便使晶圆净化。16.如 申请专利范围第1或第2项之设备,其中制造单元(1) 上方之贮存器中先前作为气体形式之生产原料用 之已加热且受污染之废气被去除。17.如申请专利 范围第1或第2项之设备,其中蚀刻气体作为气体形 式之生产原料以便进行各蚀刻过程。18.如申请专 利范围第17项之设备,其中蚀刻气体是由卤素化合 物所形成。19.如申请专利范围第1或第2项之设备, 其中氧气作为气体形式之生产原料以便在净化过 程中使晶圆净化且氮是用来使晶圆乾燥。20.如申 请专利范围第17项之设备,其中氧气作为气体形式 之生产原料以便在净化过程中使晶圆净化且氮是 用来使晶圆乾燥。图式简单说明: 第一图系晶圆加工用之设备之图解,其在无尘室中 具有多个制造单元。 第二图系大楼之横切面,其具有一种配置在楼层上 之第一图所示之无尘室以及一种分布在其它楼层 中之供应系统。 |
