| 主权项 |
1.一种握持工件之设备,该设备至少包含:一静电吸盘,该静电吸盘具有一用以支撑该工件之表面;一感应器,该感应器具有一位于该表面上之感应元件,该感应元件系用以量测该表面之电气特性。2.如申请专利范围第1项所述之设备,其中上述感应元件系一镶嵌于上述表面中之天线。3.如申请专利范围第1项所述之设备,其中上述感应器更包含一场效电晶体,该场效电晶体邻近于上述表面。4.如申请专利范围第1项所述之设备,其中上述感应元件系量测上述表面之静电电位。5.如申请专利范围第1项所述之设备,其中上述感应器系镶嵌于上述静电吸盘之上述表面中。6.一种主动控制一静电吸盘表面之表面电位的设备,该静电吸盘具有至少一个电极,该设备至少包含:一感应器,该感应器因应于该表面上之电气特性而产生一感应讯号;一控制电路,该控制电路因应于该感应讯而产生一控制讯号;且一电源供应器,该电源供应器因应于该控制讯号而产生一电压,该电压系耦合至该电极。7.如申请专利范围第6项所述之设备,其中上述感应器系量测上述静电吸盘之表面静电电位。8.如申请专利范围第6项所述之设备,其中上述感应元件系一镶嵌于上述表面中之天线。9.如申请专利范围第6项所述之设备,其中上述感应器更包含一场效电晶体,该场效电晶体具有一闸极,该闸极耦合至上述天线。10.如申请专利范围第6项所述之设备,其中上述控制电路包含一比较器,该比较器耦合至上述感应器以上述电极,其中该比较器输出一讯号以控制上述电源供应器之电压输出。11.一种主动控制一静电吸盘表面之表面电位的方法,该方法至少包含下列步骤:量测该表面之电气特性以产生一表示该电气特性之讯号;及因应于该讯号而产生一电压,该电压耦合至至少一个电极,该电极系位于该静电吸盘之中。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中上述电气特性包含一表面静电电位。13.一种半导体晶圆处理系统,该系统至少包含:一处理腔体;一静电吸盘,位于该处理腔体中,并且该静电吸盘具有一表面以及至少一个电极;一电源供应器,耦合至该电极;至少一个感应器,用以量测该表面之静电电位;及至少一个控制电路,耦合至该电源供应器。14.如申请专利范围第13项所述之半导体晶圆处理系统,其中上述感应器包含一镶嵌于上述表面中之天线。15.如申请专利范围第14项所述之半导体晶圆处理系统,其中上述感应器更包含一场效电晶体,该场效电晶体具有一闸极电极、一源极电极以及一汲极电极,其中该闸极电极系耦合至上述天线,并且一源极电极与汲极电极间之电流系与上述静电电位成正比。16.如申请专利范围第15项所述之半导体晶圆处理系统,其中上述控制电路包含一比较器,该比较器具有第一输入端及第二输入端以及一输出端,其中该第一输入端系耦合至一设定点电源供应器,该第二输入端系耦合至上述源极与汲极的其中至少一个.并且该输出端系耦合至上述电源供应器。图式简单说明:第一图系一半导体晶圆处理系统之示意图,该系统具有一使用本发明之双极性吸盘。第二图系本发明之表面电位感应器的细部图。 |
