| 主权项 |
1.一种降低阻値的MOS元件结构,该结构包括:一复晶矽闸极,形成在一基底上;以及一源/汲极区,形成在该闸极侧边的该基底;其中,该闸极与该源/汲极区上具有一选择性半球颗粒复晶矽层。2.如申请专利范围第1项所述之降低阻値的MOS元件结构,其中在该闸极与该源/汲极区上之该选择性半球颗粒复晶矽层上更具有一金属矽化物。3.一种降低阻値的MOS元件结构的制造方法,适用在一基底上,该基底具有一闸极,该闸极侧边之该基底具有一源/汲极区,该制造方法包括:在该闸极与该源/汲极区上形成一选择性半球颗粒复晶矽层;以及在该闸极与该源/汲极区上之该选择性半球颗粒复晶矽层上形成一金属矽化物。4.如申请专利范围第3项所述之降低阻値的MOS元件结构的制造方法,其中该闸极为复晶矽层。5.如申请专利范围第3项所述之降低阻値的MOS元件结构的制造方法,其中形成该金属矽化物更包括下列步骤在该基底上形成一金属层;进行一回火制程,该金属层与该选择性半球颗粒复晶矽层反应形成一金属矽化物;以及去除未反应之该金属层。6.如申请专利范围第5项所述之降低阻値的MOS元件结构的制造方法,其中该金属层包括钛。7.一种降低阻値的MOS元件结构的制造方法,该制造方法包括:提供一基底,该基底具有一复晶矽闸极,该闸极侧壁具有一绝缘间隙壁,且该闸极侧边之该基底具有一源/汲极区;在该闸极与该源/汲极区上形成一选择性半球颗粒复晶矽层,其中该选择性半球颗粒复晶矽层不形成在该绝缘间隙壁,而该选择性半球颗粒复晶矽层提供该闸极与该源/汲极区一粗糙的表面;在该选择性半球颗粒复晶矽层上形成一金属层;以及进行一回火制程,使该金属层与该选择性半球颗粒复晶矽层反应形成一金属矽化物。8.如申请专利范围第7项所述之降低阻値的MOS元件结构的制造方法,其中在形成该金属矽化物后更包括去除未反应之该金属层的步骤。9.如申请专利范围第7项所述之降低阻値的MOS元件结构的制造方法,其中该绝缘间矽壁包括以一氧化矽、一氮化矽以及其混合材质之中择一构成。10.如申请专利范围第7项所述之降低阻値的MOS元件结构的制造方法,其中该绝缘间隙壁包括在该基底上形成一绝缘材料;以及回蚀刻该绝缘材料,在该闸极侧壁上形成一绝缘间隙壁。图式简单说明:第一图A-第一图E系显示根据本发明较佳实施例降低阻値之MOS元件结构之制造流程剖面图。 |
