| 摘要 |
<p>유리기판 또는 플라스틱 기판 상에 성장시킨 실리콘 위에 저온증착이 가능하고 분극값이 높으며 안정된 계면특성을 나타내는 LiNbO를 강유전체 박막으로 성장시킴으로써, 우수한 특성을 가지며 다양한 기판의 사용이 가능하고 대면적화가 가능한 박막형 비휘발성 기억소자의 제조방법이 개시되어 있다. 본 발명의 제 1 실시 예에 따르면, 인버티드-스태거드형 박막 트랜지스터를 제조함에 있어서, 단일의 유리 기판 또는 플라스틱 기판 상에 게이트 금속으로서 알루미늄(Al)을 증착한후 패터닝하여 게이트 전극을 형성하고, RF 스퍼터링공정을 이용하여 강유전체인 LiNbO를 게이트 전극 위에 500∼5,000Å의 두께로 저온에서 성장시킨후 열처리를 수행하여 게이트 절연막을 형성한다. 이와는 달리, 본 발명의 제 2 실시 예에 따르면, 탑 게이트형 박막 트랜지스터를 제조함에 있어서, 단일의 유리 기판 또는 플라스틱 기판 상에 채널층을 형성하고, 추후에 형성될 소오스와 드레인의 오오믹 접촉(ohmic contact)을 위하여 채널층 위에 Al, Cu, Mo 또는 Cr을 증착하여 n층을 형성시킨후, RF 스퍼터링공정을 이용하여 강유전체인 LiNbO를 n층 위에 저온 성장시킨후 열처리를 수행하여 게이트 절연막을 형성한다.</p> |
