金氧半导体电晶体之结构及其制造方法

摘要

一种金氧半导体电晶体之制造方法，先于基底之主动区域中形成一制作闸极之开口，接着于开口之内表面形成一轻掺杂汲极，然后于开口之侧壁形成一间隙壁。之后再以间隙壁为罩幕，去除一厚度之开口底部的基底，以作为闸极开口。然后于闸极开口底部之基底内表面形成一闸极氧化层，接着形成一导电层填满开口，作为闸极，最后再进行源极/汲极区的掺杂，以形成源极/汲极。

主权项

1.一种金氧半导体电晶体之制造方法,包括:提供一基底;于该基底中形成一开口;于该开口之该基底表面形成一第一浓度之掺杂区;于该开口之侧壁形成一间隙壁;以该间隙壁为罩幕,去除一厚度之该开口底部的该基底;于该开口底部之该基底表面形成一介电层;形成一导电层填满该开口;以及掺杂该基底,于该开口两侧之该基底中形成一源极/汲极。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该轻掺杂汲极的方法包括斜角离子植入法。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该间隙壁的材质包括氮化矽。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该间隙壁的材质包括氧化矽。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该介电层包括氧化矽层。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该导电层包括多晶矽化金属层。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中掺杂该基底之该主动区域的方法包括离子植入法。图式简单说明:第一图A至第一图G是绘示依照本发明一较佳实施例之制程剖面示意图。