| 发明名称 | 半导体器件和制造这种半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件,包括:由硅族材料构成的第一电极、依次将反应物加到第一电极上形成的绝缘层、和其逸出功大于第一电极的逸出功的第二电极,此第二电极是在绝缘层上形成的。在电容器结构中,第一电极和第二电极可以分别是下层电极和上层电极。在晶体管结构中,第一电极和第二电极可以分别是硅衬底和栅极。绝缘层可以通过原子层析出法来形成。因此,在这种半导体器件中,有可能提高绝缘层的绝缘性能和增大电容器结构中的电容量。 | ||
| 申请公布号 | CN1284747A | 申请公布日期 | 2001.02.21 |
| 申请号 | CN00108946.3 | 申请日期 | 2000.05.19 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金荣宽;朴兴秀;朴泳旭;李相忍;张允僖;李钟镐;崔城济;李承桓;林载顺;李周远 |
| 分类号 | H01L27/04;H01L21/283;H01L21/314;H01L21/3205;H01L21/82 | 主分类号 | H01L27/04 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 马莹 |
| 主权项 | 1．一种半导体器件，包括：由硅族材料构成的第一电极；依次将反应物加到第一电极上形成的绝缘层；和其逸出功大于第一电极的逸出功的第二电极，第二电极是在绝缘层上形成的。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||