铜互连结构及其形成方法

摘要

本发明于一具体实施例中揭示一铜互连结构乃藉由在一个半导体基质(10)上沉积一个介电层(28)所形成。该介电层(28)接着加以布型以形成互连开口(29)。铜层(34)接着形成于该互连开口(29)之内。一部份的铜层(34)接着加以移除以便在该互连开口(29)中形成铜互连(39)。一个铜障蔽层(40)接着形成于铜互连(39)之上。该铜障蔽层(40)和铜互连(39)之间的黏结藉由暴露该铜互连(39)的受暴露表面于一仅使用氨气充当来源气体之下所产生的一种电浆而得到改善。

主权项

1.一种用于在一半导体装置内形成一铜互连结构的方法,包括以下步骤:提供一半导体基质;于半导体基质之上形成一介电层;布型该介电层以便在介电层之内形成一开口;于该半导体基质上形成一铜层,铜层位于该开口之内;研磨该铜层以便在开口之内形成一铜互连,该铜互连具有一上表面;将该铜互连曝露于一含氢之电浆下以便从铜互连之上表面移除铜氧化物并形成一洁面之上表面;以及于该洁净上表面上形成一铜障蔽层,其中该洁净上表面在形成铜障蔽层之前不再加以氧化。2.一种用于在一半导体装置内形成一铜互连结构的方法,包括下列步骤:提供一半导体基质;于半导体基质之上形成一介电层;布型该介电层以便在介电层之内形成一开口;于该半导体基质之上形成一铜层,铜层位于该开口之内;研磨该铜层以便在开口之内形成一铜互连,该铜互连具有一上表面;从铜互连之上表面移除铜氧化物并形成一洁净上表面;以及于该洁净上表面上形成一铜障蔽层。3.一种用于在上半导体装置内形成一铜互连结构的方法,包括以下步骤:提供一半导体基质;于半导体基质之上形成一介电层;布型该介电层以便在介电层之内形成一开口;于该半导体基质之上形成一铜层,铜层位于该开口之内;研磨该铜层以便在开口之内形成一铜互连,该铜互连具有一上表面;将该铜互连曝露于一含氢及氮之电浆下以便从铜互连之上表面移除铜氧化物并形成一洁净之上表面;以及于该洁净上表面上形成一铜障蔽层,其中该洁净上表面在形成铜障蔽层之前不再加以氧化。4.一种用于在一半导体装置内形成一铜互连结构的方法,包括以下步骤:提供一半导体基质;于半导体基质之上形成一介电层;布型该介电层以便在介电层之内形成一开口;于该半导体基质之上形成一铜层,铜层位于该开口之内;研磨该铜层以便在开口之内形成一铜互连,该铜互连具有一上表面;将该铜互连曝露于一含氢之无矽电浆下以便从铜互连之上表面移除铜氧化物并形成一洁净上表面;以及于该洁净上表面上形成一铜障蔽层,其中曝露铜互连的步骤及形成铜障蔽层的步骤系于相同的室中进行。5.一种用于在一半导体装置内形成一铜互连结构的方法,包括以下步骤:提供一半导体基质;于半导体基质之上形成一介电层;布型该介电层以便在介电层之内形成一开口;于该半导体基质之上形成一铜层,铜层位于该开口之内;研磨该铜层以便在开口之内形成一铜互连,该铜互连之上具有一上表面;将该铜互连曝露于一含氢之无矽电浆下以便从铜互连表面移除铜氧化物并形成一洁净上表面;以及于该洁净上表面上形成包含矽及氮之一铜障蔽层,其中曝露铜互连的步骤及形成铜障蔽层的步骤系于相同的室中进行。图式简单说明:第一图至第七图以横剖面图举例说明了根据本发明之一具体实例的制程步骤。