发明名称 |
INSULATED GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING THE SAME |
摘要 |
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申请公布号 |
KR100274555(B1) |
申请公布日期 |
2000.12.15 |
申请号 |
KR19920011088 |
申请日期 |
1992.06.25 |
申请人 |
TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED |
发明人 |
MOSLEHI,MEHRDAD M. |
分类号 |
H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/28 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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