| 主权项 |
1.一种以半导体雷射激发之高输出半导体固体雷射装置,设有:固体雷射介质;激发该固体雷射介质之半导体雷射;检测该半导体雷射振荡光谱所激发之前述固体雷射介质波长区域之分光器;将该分光器所检测之检测光谱之面积实施格式化,同时演算该经格式化之检测光谱和前述固体雷射介质由雷射激发且经格式化之吸收光谱之重叠面积的演算装置;以及依据该演算装置之输出施行前述半导体雷射之温度控制之温度控制装置等。2.如申请专利范围第1项之高输出半导体固体雷射装置,其中,系以检测光诸与吸收光谱之重叠面积成为最大之方式施行半导体雷射之温度控制者。3.如申请专利范围第1项之高输出半导体固体雷射装置,其中,具有复数个半导体雷射,同时对所合并之各半导体雷射所呈现之整体光谱施行检测作为检测振荡光谱者。图式简单说明:第一图为本发明一实施例之以半导体雷射激发之高输出半导体固体雷射装置侧面激发时之构成图。第二图为本发明一实施例之以半导体雷射激发之高输出半导体固体雷射装置端面激发时之构成图。第三图为一温度控制方法例之流程图。第四图为复数半导体雷射之振荡光谱例示图。第五图为习知半导体雷射激发固体雷射之构成图。第六图为习知半导体雷射激发固体雷射之波长温度控制电路图。第七图为固体雷射媒体Nd:YAG之吸收光谱图。 |
