METHOD FOR PRODUCING A WAFER SUPPORT, USED, IN PARTICULAR, IN A HIGH-TEMPERATURE CVD REACTOR OR IN A HIGH-TEMPERATURE CVD PROCESS WHICH INVOLVES THE USE OF AGGRESSIVE GASES

摘要

Beschrieben wird ein Verfahren zur Herstellung eines Waferträgers mit einer Beschichtung, nach Reinigen des speziell mechanisch vorgefertigten Waferträgers gekennzeichnet durch Erhitzen des gereinigten Waferträgers auf hohe Temperaturen, Einbringen von Beschichtungskomponenten zum Umwandeln der Waferträgeroberfläche zu einer Schutzschicht oder zur Deposition zugeführter Komponenten zu einer Schutzschicht. Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass der erfindungsgemässe Waferträger mit der speziellen Beschichtung für ein System und ein Verfahren zur Hochtemperatur-CVD-Bearbeitung von Wafern unter Verwendung aggressiver Gase derart eingesetzt werden kann, dass neben der reproduzierbaren Abscheibung der gewünschten Schichtfolgen mit sehr guter Gleichmässigkeit der Materialeigenschaft, keine chemische Wechselwirkung mit dem Waferträger auftritt.