| 主权项 |
1.一种资讯记录介质,包含一透明基底,一光学记录层,一IC晶圆,和一天线线圈用以进行至少记录资讯在IC晶圆上或再生储存在IC晶圆上之资讯之资讯交换操作而不会使IC晶圆和资讯记录/再生装置直接互相接触,其中该透明基底,光学记录层,和天线线圈以上述之顺序安排。2.一种资讯记录介质,包含一透明基底,一光学记录层,和一IC模组,该IC模组具有一IC晶圆和一天线线圈用以进行至少记录资讯在IC晶圆上或再生储存在IC晶圆上之资讯之资讯交换操作而不会使IC晶圆和资讯记录/再生装置直接互相接触,其中该光学记录层和天线线圈安排在不同的相关平面,且天线线圈安排在不重叠由光学记录层所占据之区域之区域上。3.如申请专利范围第2项之资讯记录介质,其中该光学记录层为光透射。4.一种资讯记录介质,包含一非接触型IC模组和一光学记录层当成资讯储存机构,该IC模组具有一IC晶圆和一内部天线线圈用以进行至少记录资讯在IC晶圆上或再生储存在IC晶圆上之资讯之资讯交换操作而不会使IC晶圆和资讯记录/再生装置直接互相接触,其中该光学记录层和内部天线线圈安排在不同的相关平面以使当资讯记录介质设定在具有内部天线线圈当成用以记录资讯在或由IC模组再生资讯之机构和光学头相关的安排在资讯记录介质之相反侧之资讯记录/再生装置中时,内部天线线圈和光学头不位于和介于其间之资讯记录介质相对之位置。5.一种资讯记录介质,包含一透明基底,一光学记录层,和一IC模组,该IC模组具有一IC晶圆,和一天线线圈用以进行至少记录资讯存IC晶圆上或再生储存在IC晶圆上之资讯之资讯交换操作而不会使IC晶圆和资讯记录/再生装置直接互相接触,其中该透明基底,光学记录层,和IC模组以上述之顺序安排,且一电磁波屏蔽层安排在远离天线线圈之透明基底之侧边上。6.一种资讯记录介质,包含一透明基底,一光学记录层,和一IC模组,该IC模组具有一IC晶圆,和一天线线圈用以进行至少记录资讯存IC晶圆上或再生储存在IC晶圆上之资讯之资讯交换操作而不会使IC晶圆和资讯记录/再生装置直接互相接触,其中该透明基底,光学记录层,和IC模组以上述之顺序安排,一电磁波屏蔽层安排在远离天线线圈之透明基底之侧边上,和一电导端安排在和用以记录/再生资讯之资讯记录/再生装置接触且电连接至电磁波屏蔽层之位置。7.如申请专利范围第6项之资讯记录介质,其中该电导端安排在资讯记录介质之一缘上。8.如申请专利范围第6项之资讯记录介质,其中该电导端包括含电导材料之硬化光固树脂。9.如申请专利范围第5或6项之资讯记录介质,其中该电磁波屏蔽层安排在透明基底和光学记录层间且是透明的。10.如申请专利范围第5或6项之资讯记录介质,其中该电磁波屏蔽层安排在光学记录层和IC模组间。11.如申请专利范围第5或6项之资讯记录介质,其中该电磁波屏蔽层安排在透明基底之外表面上。12.如申请专利范围第10项之资讯记录介质,其中该电磁波屏蔽层安排在相对于面对基底之侧边之光学记录层之侧边上。13.如申请专利范围第5或6项之资讯记录介质,其中该电磁波屏蔽层曝露至外界。14.如申请专利范围第13项之资讯记录介质,其中该电磁波屏蔽层在资讯记录介质之缘上曝露。15.如申请专利范围第14项之资讯记录介质,其中该资讯记录介质在一缘上具有一削圆横截面,和该电磁波屏蔽层在横截面之最延伸部份上曝露。16.如申请专利范围第15项之资讯记录介质,其中该电磁波屏蔽层包含电导材料。17.如申请专利范围第16项之资讯记录介质,其中该电磁波屏蔽层具有110-5S/cm或更大之电导率。18.如申请专利范围第5或6项之资讯记录介质,其中该电磁波屏蔽层包含铁磁材料。19.如申请专利范围第18项之资讯记录介质,其中该电磁波屏蔽层具有1高斯或更大之饱和磁因数。20.一种资讯记录/再生装置,其和资讯记录介质一起使用,该资讯记录介质,包含一透明基底,一光学记录层,一IC模组,和第一天线线圈用以进行至少记录资讯在IC晶圆上或再生储存在IC晶圆上之资讯之资讯交换操作而不会使IC晶圆和资讯记录/再生装置直接互相接触,该透明基底,光学记录层,和第一天线线圈以上述之顺序安排,其中该装置包含一光学头用以记录资讯或由光学记录层再生资讯,一资讯记录介质接收台用以接收该资讯记录介质,和第二天线线圈用以进行至少记录资讯在IC晶圆上或再生储存在IC晶圆上之资讯之资讯交换操作而不会使IC晶圆和资讯记录/再生装置直接互相接触,和其中该第二天线线圈安排在资讯记录介质接收台上。21.如申请专利范围第20项之资讯记录/再生装置,其中当资讯记录介质以第一和第二天线线圈互相相对设置的安排在资讯记录介质接收合时,该光学头安排以允许一光束进入光学记录区域以经由透明基底记录资讯在或由光学记录区域再生资讯。22.如申请专利范围第21项之资讯记录/再生装置,其中当资讯记录介质安排在资讯记录介质接收台时,该第一和第二天线线圈实际的握持成互相紧密接触。23.一种资讯记录/再生装置,其和资讯记录介质一起使用,该资讯记录介质,包含一透明基底,一光学记录层,和一IC模组,该IC模组具有一IC晶圆,和一天线线圈用以进行至少记录资讯在IC晶圆上或再生储存在IC晶圆上之资讯之资讯交换操作而不会使IC晶圆和资讯记录/再生装置直接互相接触,该透明基底,光学记录层,和IC模组以上述之顺序安排,和一电磁波屏蔽层安排在远离天线线圈之透明基底之侧边上,其中该装置包含一光学头用以记录资讯或由光学记录层再生资讯,一资讯记录介质接收台用以接收该资讯记录介质,和一线圈用以进行至少记录资讯在IC晶圆上或再生储存在IC晶圆上之资讯,该线圈和光学头安排成当资讯记录介质设定在资讯记录介质接收台上之适当位置时,它们相对的设置且资讯记录介质安插在其间,和其中资讯记录介质接收台乃构造成当资讯记录介质设定在资讯记录介质接收台上之适当位置时,其可电连接至用以接地之电磁波屏蔽层。24.一种资讯记录/再生装置,其和资讯记录介质一起使用,该资讯记录介质,包含一透明基底,一光学记录层,和一IC模组,该IC模组具有一IC晶圆,和一天线线圈用以进行至少记录资讯在IC晶圆上或再生储存在IC晶圆上之资讯之资讯交换操作而不会使IC晶圆和资讯记录/再生装置直接互相接触,该透明基底,光学记录层,和IC模组以上述之顺序安排,一电磁波屏蔽层安排在远离天线线圈之透明基底之侧边上,和一电导端安排在和用以记录/再生资讯之资讯记录/再生装置接触且电连接至电磁波屏蔽层之位置,其中该装置包含一光学头用以记录资讯或由光学记录层再生资讯,一资讯记录介质接收台用以接收该资讯记录介质,和一线圈用以进行至少记录资讯在IC晶圆上或再生储存在IC晶圆上之资讯,其中该线圈和光学头安排成当资讯记录介质设定在资讯记录介质接收台上之适当位置时,它们相对的设置且资讯记录介质安插在其间,和其中资讯记录介质接收台乃构造成当资讯记录介质设定在资讯记录介质接收台上之适当位置时,其可电连接至电导端以使电磁波屏蔽层接地。图式简单说明:第一图A为依照本发明之混合卡之示意平面图,其显示一侧边。第一图B为第一图A之混合卡之示意平面图,其显示另一侧边。第二图为沿第一图A之2-2线截取之第一图A之混合卡之示意横截面图。第三图为非接触IC之示意图,其显示用于记录/再生资讯之原理和构造。第四图为依照本发明之资讯记录/再生装置之示意方块图,其适于和混合卡一起使用。第五图A为典型光学卡之示意平面图。第五图B为沿第五图A之5B-5B线截取之第五图A之光学卡之示意横截面图。第六图为一光学卡之示意平面图,其显示光学记录区域之典型格式。第七图为一光学卡之扩大示意部份图,其显示光点照射该卡。第八图为一光学卡记录/再生装置之光学头部份之示意侧面图。第九图为一资讯记录/再生装置之讯号处理电路之示意电路图。第十图A为已知接触型混合卡之示意平面图,其显示一侧边。第十图B为第十图A之已知接触型混合卡之示意平面图,其显示另一侧边。第十一图为沿第十图B之11-11线截取之第十图A和第十图B之混合卡之示意横截面图。第十二图为已知混合记录/再生装置之示意方块图。第十三图为依照本发明之资讯记录介质之一实施例之示意平面图。第十四图为沿第十三图之14-14线所截取之第十三图之实施例之示意横截面图。第十五图为沿第十三图之15-15线所截取之第十三图之实施例之示意横截面图。第十六图为具有光学记录区域由用以驱动IC晶圆之线圈所重叠之资讯记录介质之示意平面图。第十七图A,第十七图B和第十七图C为例1之混合卡之示意侧横截面图,其显示不同之制造步骤。第十八图为依照本发明之资讯记录介质之示意平面图,其显示用于接收用于光学记录之光束之侧边。第十九图为沿第十八图之19-19线所截取之第十八图之实施例之示意横截面图。第二十图为沿第十八图之20-20线所截取之第十八图之实施例之示意横截面图。第二十一图A,第二十一图B,第二十一图C和第二十一图D为第十八图之实施例之示意侧横截面图,其显示IC模组之不同制造步骤。第二十二图为依照本发明之资讯记录介质之另一实施例之示意侧横截面图。第二十三图为依照本发明之资讯记录/再生装置之一实施例之示意立体图。第二十四图为依照本发明之资讯记录介质之又一实施例之示意侧横截面图。第二十五图为依照本发明之资讯记录介质之又一实施例之示意平面图。第二十六图为沿第二十五图之26-26线所截取之第二十五图之实施例之示意横截面图。第二十七图为沿第二十五图之27-27线所截取之第二十五图之实施例之示意横截面图。第二十八图为用以和第二十五图之资讯记录介质一起使用之资讯记录/再生装置之示意立体图。第二十九图为藉由切割一尺寸工件而得且端部具有粗糙缘之混合卡之示意侧横截面图。第三十图为藉由切割一尺寸工件而得且梯形横截面之混合卡之示意侧横截面图。 |
