| 发明名称 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UNE HETEROSTRUCTURE PLANAIRE |
| 摘要 |
<P>Le procédé comprend : la gravure dans un substrat semiconducteur (2), d'au moins une tranchée (3) de largeur et de profondeur prédéterminées; le dépôt sur le substrat et dans la tranchée d'un empilement de couches successives et alternées de Si1-X GeX (0 < x <= 1) et Si (5-8) dont le nombre et l'épaisseur dépendent de l'utilisation finale envisagée pour l'hétérostructure; et le polissage mécano-chimique pour obtenir une hétérostructure finale ayant une surface principale supérieure plane au niveau de laquelle affleurent les couches de l'empilement déposées dans la tranchée. Application à la microélectronique</P> |
| 申请公布号 |
FR2791810(A1) |
申请公布日期 |
2000.10.06 |
| 申请号 |
FR19990004052 |
申请日期 |
1999.03.31 |
| 申请人 |
FRANCE TELECOM |
发明人 |
HERNANDEZ CAROLINE;CAMPIDELLI YVES;RIVOIRE MAURICE;BENSAHEL DANIEL |
| 分类号 |
H01L29/165;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/321;H01L29/12;H01L31/0248;H01L31/0352;H01L31/18;H01L33/24;H01L33/34;H01S5/02;H01S5/223;H01S5/30;H01S5/32 |
主分类号 |
H01L29/165 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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