发明名称 |
一种籽晶起始端抑制杂晶形成和长大的方法及模壳结构 |
摘要 |
本发明涉及单晶高温合金的制备技术,特别提供了一种籽晶起始端抑制杂晶形成和长大的方法及模壳结构。其方法是以籽晶法为基础,预置籽晶于模壳内,在起始端设一缩颈结构,抑制籽晶生长的起始端形成的杂晶,使合金熔体在籽晶的未熔化界面上以外延生长的方式长成单晶。所用模壳结构为预置籽晶的模壳结构,在模壳底部设一缩颈结构,于籽晶生长起始部位的上方。本发明是将以往的籽晶法起始端设计与缩颈选晶器的设计结合起来,从而这样既可以对单晶生长的起始过程出现的杂晶进行抑制和排除,又可以保证获得所需的晶体取向,提高单晶生长的成功率。 |
申请公布号 |
CN1570224A |
申请公布日期 |
2005.01.26 |
申请号 |
CN03133733.3 |
申请日期 |
2003.07.16 |
申请人 |
中国科学院金属研究所 |
发明人 |
李金国;赵乃仁;王志辉;金涛;侯桂臣;郑启;孙晓峰;管恒荣;胡壮麒 |
分类号 |
C30B19/06;B22D27/20;B22D27/04 |
主分类号 |
C30B19/06 |
代理机构 |
沈阳科苑专利商标代理有限公司 |
代理人 |
许宗富;周秀梅 |
主权项 |
1.一种籽晶起始端抑制杂晶形成和长大的方法,以籽晶法为基础,预置籽晶于模壳内,其特征在于:在起始端设一缩颈结构,抑制籽晶生长的起始端形成的杂晶,使合金熔体在籽晶的未熔化界面上以外延生长的方式长成单晶。 |
地址 |
110016辽宁省沈阳市沈河区文化路72号 |