| 主权项 |
1.一种基板处理方法,其特征为:藉CVD法在基板表面成膜为薄膜之后,以非接触状态接近气体供给机构之气体供给面和基板之成膜面,对基板内面之空间供给腐蚀气体并产生等离子,同时从气体供给面将排除气体供给到气体供给面和基板之间的空间,让排除气体从基板周缘部流至基板内面之空间,藉排除气体来阻止等离子中的原子扩散至气体供给面和基板之间的空间。2.如申请专利范围第1项之基板处理方法,其使基板接近气体供给面。3.如申请专利范围第1项之基板处理方法,其使前述气体供给面接近前述基板。4.如申请专利范围第1项之基板处理方法,其前述气体供给面和前述基板之距离为1mm以下。5.如申请专利范围第1项之基板处理方法,其配置一当气体供给面和基板接近时,被配置在该基板之周围,以阻止等离子中的原子扩散至基板成膜面之圆筒构件。6.一种在基板固持部上的基板表面藉CVD法而成膜为薄膜之基板处理装置,其特征为,具备:具有能吹出排除气体的气体供给面之排除气体供给机构和、接近基板和气体供给面之接近驱动机构和、在排除气体供给机构和基板固持部之间的空间供给腐蚀气体之腐蚀气体供给机构;基板成膜后,藉由前述接近驱动机构以非接触状态接近前述气体供给面和前述基板成膜面,藉由前述腐蚀气体供给机构在前述基板内面的空间供给前述腐蚀气体而产生等离子,同时从前述排除气体供给机构的前述气体供给面将前述排除气体供给至前述气体供给面和前述基板之间的空间,且将前述排除气体从基板周缘部流至前述基板内面的空间,藉由前述排除气体来阻止前述等离子中的原子扩散至前述气体供给面和前述基板之间的空间。7.如申请专利范围第6项之基板处理装置,其前述接近驱动机构会使前述基板接近前述气体供给面。8.如申请专利范围第6项之基板处理装置,其前述接近驱动机构会使前述气体供给面接近前述基板。9.如申请专利范围第6项之基板处理装置,其前述气体供给面和前述基板之距离为1mm以下。10.如申请专利范围第6项之基板处理装置,其前述气体供给面设置将一当前述气体供给面和前述基板接近时被配置在基板周围,以阻止等离子中的原子扩散至前述基板成膜面之圆筒构件。图式简单说明:第一图系表示本发明之第一实施例之纵剖面图;第二图系表示本发明之第二实施例之纵剖面图;第三图系表示本发明之第三实施例之纵剖面图;第四图系表示本发明之第四实施例之纵剖面图;第五图系表示习知基板处理装置之纵剖面图。 |
