| 摘要 |
<p>L'invention concerne un amplificateur de détection (500) comportant un premier (518, 520) et un second (522, 524) inverseur CMOS, un miroir (502, 504) de courant pMOS, un miroir de courant nMOS (506, 508), un pMOSFET (510) source relié à un courant source, et un nMOSFET récepteur (512) relié à un courant récepteur. La tension de grille (516) du premier inverseur CMOS (518, 520) représente la tension d'entrée, et la tension de grille du second inverseur CMOS (522, 524) est égale à la tension de référence. La tension de sortie (516) se situe aux drains du premier inverseur CMOS. Les miroirs de courant pMOS et nMOS fournissent des charges actives aux premier et second inverseurs CMOS. L'amplificateur de détection se polarise de façon automatique en connectant la grille du pMOSFET source aux grilles du miroir de courant pMOS, et en connectant la grille du nMOSFET récepteur aux grilles du miroir de courant nMOS.</p> |
