| 摘要 |
<p>Die vorliegende Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Strukturierung transparenter, leitfähiger Schichten, insbesondere zur Strukturierung transparenter Elektrodenschichten in Dünnschichtbauelementen. Die Wellenlänge (μ) des zur Strukturierung verwendeten Lasers wird derart ausgewählt, daß sie im wesentlichen in dem Plasmaabsorptionsbereich der transparenten Elektrodenschicht liegt und den folgenden drei Bedingungen genügt: a) Die Wellenlänge μ des Lasers muß größer als die Grenzwellenlänge μgopt für optische Absorption im darunter liegenden Absorber sein; b) die Wellenlänge μ des Lasers muß größer als die Grenzwellenlänge für freie Trägerabsoption (Plasmaabsoption) μ¿g?pla in der transparenten Elektrodenschicht sein; und c) die Wellenlänge μ des Lasers muß kleiner als die Grenzwellenlänge für metallische Reflexion μ¿g?met an der transparenten Frontelektrode sein.</p> |
