电场放射装置

摘要

本发明提供一种在闸极电极之周围可以无限制设置集束电极之电场放射装置。本发明之电场发射装置在阴极基板侧之绝缘层12之上层形成闸极电极6,绝缘层12及闸极电极6形成开口部6a,该开口部6a内形成锥状射极ll。绝缘层12之上层在闸极电极6之周围形成集束电极l,亦形成闸极电极线2。绝缘层12之下层形成接线7,电阻层3,阴极电极线4等。闸极电极6为经由接点孔以电路接线于接线7,闸极电极线2为经由接点孔5b以电路接线于接线7。

主权项

1.一种电场放射装置,在于具有绝缘层,形成于该绝缘层之上层之闸极电极,形成于前述绝缘层及前述闸极电极之开口部,形成于该开口部内之射极,闸极电极线,及阴极电极线等之电场放射装置中,前述绝缘层之上层形成前述闸极电极线,前述绝缘层之下层形成接线,前述闸极电极为经由第1层间接线部以电路接线于前述接线,前述闸极电极线为经由第2层间接线部以电路接线于前述接线为特征者。2.一种电场放射装置,在于具有绝缘层,形成在该绝缘层之上层之闸极电极,形成于前述绝缘层及前述闸极电极之开口部,形成于该开口部内之射极,闸极电极线,及阴极电极线等之电场放射装置中,前述绝缘层之上层形成前述阴极电极线,前述绝缘层之下层形成闸极电极线,前述闸极电极为经由第1层间接线部以电路接线于前述闸极电极线,前述射极为经由第2层间接线部以电路接线于前述阴极电极线为特征者。3.如申请专利范围第1项或第2项所记载之电场放射装置,在前述绝缘层之上层而且为前述闸极电极之周围形成集束电极为特征者。图式简单说明:第一图本发明之第1实施例之电场放射装置之FEC之第1说明图。第二图本发明之第1实施例之电场放射装置之FEC之第2说明图。第三图(a)(b)(c)(d)本发明之第1实施例之电场放射装置之FEC之制程之说明图。第四图本发明之第2实施例之电场放射装置之FEC之说明图。第五图平面集束型FEC之说明图。第六图平面集束型FEC之剖面图。