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Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen einer Siliziumkarbid enthaltenden Schutzschicht auf mindestens einem Teil einer Oberfläche eines Grundkörpers aus einem Werkstoff, dessen Erweichungstemperatur oberhalb einer zur Erzeugung der Schutzschicht anzuwendenden Temperatur liegt, wobei auf den mit der Schutzschicht zu versehenen Teil der Oberfläche des Grundkörpers Silizium aufgebracht und der Grundkörper unter Vakuum oder in inerter Atmosphäre auf eine Temperatur oberhalb des Schmelzpunkts von Silizium erhitzt, mit Kohlenstoff, der in einer porösen Schicht enthalten ist, zur Reaktion gebracht und danach abgekühlt wird, dadurch gekennzeichnet, daß zur Bildung einer homogenen Schutzschicht aus Siliziumkarbid und freiem Silizium der zu beschichtende Teil der Oberfläche zuerst mit einer porösen Kohlenstoffschicht, deren offene Porosität im Bereich zwischen 40 und 95% liegt, versehen wird, daß die poröse Kohlenstoffschicht mit einer gleichmäßigen Schicht aus Silizium bedeckt wird, wobei das Verhältnis in Masseprozent (Ma.-%) des aufgebrachten Siliziums zu dem des Kohlenstoffs in der porösen Kohlenstoffschicht mehr als 2,34 beträgt, daß der Grundkörper auf eine Temperatur oberhalb der Schmelztemperatur des Siliziums unter Vermeidung eines siedenden Zustands des Siliziums erhitzt wird, und daß anschließend der Grundkörper, der mit der Siliziumkarbid und freies Silizium enthaltenden Schicht versehen ist, auf Raumtemperatur abgekühlt wird.
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