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Une cellule de SRAM ayant une ligne de mots plus courte qu'une ligne de bits est réalisée. Des transistors d'attaque (TD1, TD2) ayant des électrodes de grille (103a, 103b) parallèles l'une à l'autre sont formés sur un substrat semi-conducteur, et une électrode de grille (103c) partagée par des transistors de transfert (TA1, TA2) est formée entre les électrodes de grille (103a, 103b). Une ligne de mots connectée à cette électrode (103c) est perpendiculaire aux électrodes de grille (103a, 103b), et une paire de lignes de bits connectée aux aires des transistors de transfert (TA1, TA2) est perpendiculaire à la ligne de mots. De même, une paire de lignes de masse est connectée aux aires de source des transistors d'attaque (TD1, TD2) et est parallèle à la ligne de bits.
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