发明名称 | 用于分析存在于气体中的物质的方法 | ||
摘要 | 在此提供一种物质分析方法,它能够提高对给半导体器件造成某些不良影响的所期望物质的分析的正确性。第一步,把一种要被分析的气体与一种吸附剂相接触,从而把存在于所述气体中的物质吸附到所述吸附剂上。所述吸附剂由与要被在所述气体中处理的半导体材料相同的材料所制成。第二步,加热所述吸附剂,以在特定热还原温度下从所述吸附剂中热还原出所吸附的物质。第三步,通过使用分析系统分离和识别所述被吸附的物质。 | ||
申请公布号 | CN1236095A | 申请公布日期 | 1999.11.24 |
申请号 | CN99100580.5 | 申请日期 | 1999.02.04 |
申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 白水好美 |
分类号 | G01N1/00 | 主分类号 | G01N1/00 |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 刘晓峰 |
主权项 | 1、一种分析存在于气体中的物质的方法,包含如下步骤:(a)第一步,把一种要被分析的气体与一种吸附剂相接触,从而把存在于所述气体中的物质吸附到所述吸附剂上;所述吸附剂由与要被在所述气体中处理的半导体材料相同的材料制成;(b)第二步,加热所述吸附剂,以在特定的热还原温度下从所述吸附剂中热还原出所吸附的物质;以及(c)第三步,通过使用分析系统分离和识别所述被吸附的物质。 | ||
地址 | 日本国东京都 |