发明名称 Verfahren und Schaltung zur Verbesserung von Steuerzeit- und Störabstand in einem DRAM Speicher
摘要
申请公布号 DE69417281(T2) 申请公布日期 1999.11.04
申请号 DE19946017281T 申请日期 1994.02.23
申请人 UNITED MEMORIES, INC.;NIPPON STEEL SEMICONDUCTOR CORP., TATEYAMA 发明人 JONES, OSCAR FREDERICK
分类号 G11C11/401;G11C7/10;G11C7/22;G11C11/4076;G11C11/4096;(IPC1-7):G11C11/407;G11C7/00;G11C8/00 主分类号 G11C11/401
代理机构 代理人
主权项
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