ETCHING METHOD

摘要

주파수전계와 그의 전계에 직교하는 전계에 의하여 마그네트론 방전을 발생시키어 에칭가스의 플라즈마를 발생시키고, 폴리 실리콘층에 대표되는 실리콘 함유층을 가지는 피처리체를 플라즈마 중에 노출하여 실리콘 함유층을 에칭할 때에 에칭가스와 HBr 가스, HBr가스와 Cl가스의 혼합가스, 또는 HBr가스와 Cl가스의 혼합가스를 주체로 하는 것, 또는 여기에 O와 같은 산소를 포함하는 가스를 첨가한 것을 사용한다.