| 发明名称 | 金属层间介电层及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种金属层间介电层包括:一阻挡层,位于导线与基底的上方;以及一氟掺杂高密度等离子氧化层,覆盖于该阻挡层上。其制造方法包括:在集成电路结构上形成一缓冲层;在缓冲层上形成一阻挡层;以及在阻挡层上形成一氟掺杂高密度等离子氧化层。阻挡层可以阻止氟原子的扩散,克服以化学机械研磨法研磨氧化层所面临的平坦化问题,并且在蚀刻介层窗时容易使蚀刻停止于防反射层上,所以可以使防反射层的厚度减少。 | ||
| 申请公布号 | CN1229268A | 申请公布日期 | 1999.09.22 |
| 申请号 | CN98115050.0 | 申请日期 | 1998.06.23 |
| 申请人 | 世大积体电路股份有限公司 | 发明人 | 何青原 |
| 分类号 | H01L21/31;H01L21/312;H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/31 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种金属层间介电层，应用于一基底上，所述基底上已形成有一导线，包括：一阻挡层，位于所述导线与所述基底的上方；以及一氟掺杂高密度等离子氧化层，覆盖于所述阻挡层上。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||